METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING

• Main Authors: HAYASHIDE Akiko, SATOU Makoto, CHABANA Koichi, TANIGUCHI Tetsuya
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.05.2020
• Subjects: ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; PAINTS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES

A method for manufacturing a semiconductor device, having: a step for preparing a semiconductor wafer that has a plurality of electrodes on one of the main surfaces, and affixing to the side of the semiconductor wafer on which the electrodes are provided an adhesive film for semiconductor wafer processing comprising a back grinding tape including a base and an adhesive agent layer, and a bonding agent layer formed on the adhesive agent layer, and obtaining a laminate; a step for grinding the semiconductor wafer to make the semiconductor wafer thinner; a step for dicing the thinned semiconductor wafer and the bonding agent layer to divide the semiconductor chip provided with the bonding agent layer into individual pieces; and a step for electrically connecting the electrode of the semiconductor chip provided with the bonding agent layer to another semiconductor chip or the electrode of a wiring circuit board, wherein the thickness of the back grinding tape is 75 to 300 µm, and the thickness of the adhesive agent layer is 3 or more times the thickness of the bonding agent layer. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comprenant : une étape consistant à préparer une tranche de semi-conducteur qui a une pluralité d'électrodes sur l'une des surfaces principales, et à fixer sur le côté de la tranche de semi-conducteur sur lequel les électrodes sont fournies un film adhésif pour le traitement de tranche de semi-conducteur comprenant une bande de meulage arrière comprenant une base et une couche d'agent adhésif, et une couche d'agent de liaison formée sur la couche d'agent adhésif, et à obtenir un stratifié ; une étape consistant à meuler la tranche de semi-conducteur pour rendre la tranche de semi-conducteur plus mince ; une étape consistant à découper en dés la tranche de semi-conducteur amincie et la couche d'agent de liaison pour diviser la puce semi-conductrice pourvue de la couche d'agent de liaison en morceaux individuels ; et une étape consistant à connecter électriquement l'électrode de la puce semi-conductrice pourvue de la couche d'agent de liaison à une autre puce semi-conductrice ou à l'électrode d'une carte de circuit imprimé de câblage, l'épaisseur de la bande de meulage arrière étant de 75 à 300 µm, et l'épaisseur de la couche d'agent adhésif étant supérieure ou égale à 3 fois l'épaisseur de la couche d'agent de liaison. 主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの電極が設けられている側に、基材及び粘着剤層を含むバックグラインドテープと、粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備える半導体ウエハ加工用接着フィルムを貼り付け、積層体を得る工程と、半導体ウエハを研削して半導体ウエハを薄厚化する工程と、薄厚化した半導体ウエハ及び接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、を有し、バックグラインドテープの厚さが７５～３００μｍであり、粘着剤層の厚さが接着剤層の厚さの３倍以上である、半導体装置の製造方法。