SIC SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND PRODUCTION DEVICE THEREFOR

• Main Authors: DOJIMA, Daichi, IHARA, Tomoya, KANEKO, Tadaaki, ASHIDA, Koji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.05.2020
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

The problem to be addressed by the invention is to provide an SiC semiconductor substrate having a growth layer for which the step height has been controlled, a production method therefor, and a production device therefor. The invention is characterized by containing a growth step for causing an SiC substrate 10 to grow under an SiC-Si equilibrium vapor pressure environment. Causing the SiC substrate 10 to grow under the SiC-Si equilibrium vapor pressure environment in this manner allows the SiC semiconductor substrate for which the growth layer step height has been controlled, to be provided. L'invention a pour objet un substrat semi-conducteur en SiC ayant une couche de croissance pour laquelle la hauteur de gradin a été réglée, un procédé de production s'y rapportant et un dispositif de production s'y rapportant. L'invention est caractérisée en ce qu'elle contient une étape de croissance pour amener un substrat en SiC (10) à croître sous un environnement de pression de vapeur d'équilibre de SiC-Si. Le fait d'amener le substrat en SiC (10) à croître sous l'environnement de pression de vapeur d'équilibre de SiC-Si de cette manière permet de produire le substrat semi-conducteur en SiC pour lequel la hauteur de gradin de la couche de croissance a été réglée. ステップ高さが制御された成長層を有するＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置を提供することを課題とする。　ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境下で成長させる成長工程を含むことを特徴とする。このようにＳｉＣ基板１０をＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境下で成長させることにより、成長層のステップ高さが制御されたＳｉＣ半導体基板を提供することができる。