LIGHT-EMITTING DIODE STRUCTURE AND LIGHT-EMITTING DIODE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: MIN, Jung Hong, KIM, Dae Hyun, KIM, Dong Uk, JUNG, Jae Hoon, CHO, Hyun Min
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 07.05.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a light-emitting diode structure and a light-emitting diode manufacturing method. The light-emitting diode manufacturing method comprises the steps of: preparing a lower substrate including a substrate and a separation layer formed on the substrate, and at least one semiconductor rod formed on the separation layer; forming a rod structure which includes a rod protection layer formed to encapsulate the semiconductor rod(s) on the separation layer, and an auxiliary layer formed on at least a portion of the rod protection layer; and removing the separation layer to separate the rod structure from the lower substrate, and then separating the semiconductor rod(s) from the rod structure. L'invention concerne une structure de diode électroluminescente et un procédé de fabrication de diode électroluminescente. Le procédé de fabrication de diode électroluminescente comprend les étapes consistant à : préparer un substrat inférieur comprenant un substrat et une couche de séparation formée sur le substrat, et au moins une tige semiconductrice formée sur la couche de séparation ; former une structure de tige qui comprend une couche de protection de tige formée pour encapsuler la ou les tiges semiconductrices sur la couche de séparation, et une couche auxiliaire formée sur au moins une partie de la couche de protection de tige ; et retirer la couche de séparation pour séparer la structure de tige du substrat inférieur, puis séparer la ou les tiges de semiconductrices de la structure de tige. 발광 소자 구조물 및 발광 소자의 제조방법이 제공된다. 발광 소자의 제조 방법은 기판과 상기 기판 상에 형성되는 분리층을 포함하는 하부 기판 및 상기 분리층 상에 형성되는 적어도 하나의 반도체 로드를 준비하는 단계, 상기 분리층 상에서 상기 반도체 로드들을 감싸도록 형성되는 로드 보호층 및 상기 로드 보호층 상의 적어도 일부에 형성되는 보조층을 포함하는 로드 구조물을 형성하는 단계 및 상기 분리층을 제거하여 상기 로드 구조물을 상기 하부기판으로부터 분리한 뒤, 상기 로드 구조물에서 상기 반도체 로드를 분리하는 단계를 포함한다.