OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NAKAI Eiji, KAWAHARA Hiroyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.05.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

This optical semiconductor device is provided with: a mesa (200) that has a first conductivity-type clad layer (11), an active layer (20), and a second conductivity-type first clad layer (30) of a second conductivity type, sequentially laminated on the surface of a first conductivity-type substrate (10); a embedding layer (50) which causes the top part of the mesa (200) to be exposed but embeds both sides of the mesa (200); and a second conductivity-type second clad layer (31) which embeds the embedding layer (50) and the top part of the mesa (200) exposed from the embedding layer (50), wherein the embedding layer (50) includes a layer doped with a semi-insulating material, and a boundary (33) between the second conductivity-type first clad layer (30) and the embedding layer (50) is inclined so that the second conductivity-type first clad layer (30) becomes narrower toward the top part of the mesa (200). L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur optique comprenant : une mesa (200) qui a une couche de gainage de premier type de conductivité (11), une couche active (20) et une première couche de placage de second type de conductivité (30), stratifiées de manière séquentielle sur la surface d'un substrat de premier type de conductivité (10) ; une couche d'incorporation (50) qui amène la partie supérieure du mesa (200) à être exposée mais incorpore les deux côtés du mesa (200) ; et une seconde couche de revêtement de second type de conductivité (31) qui incorpore la couche d'incorporation (50) et la partie supérieure de la mesa (200) exposée à partir de la couche d'incorporation (50), la couche d'incorporation (50) comprenant une couche dopée avec un matériau semi-isolant, et une délimitation (33) entre la première couche de placage de second type de conductivité (30) et la couche d'incorporation (50) est inclinée de telle sorte que la première couche de placage de second type de conductivité (30) devient plus étroite vers la partie supérieure du mesa (200). 第一導電型基板（１０）の表面に第一導電型クラッド層（１１）、活性層（２０）、第二導電型を有する第二導電型第一クラッド層（３０）の順に積層されたメサ（２００）と、メサ（２００）の頂部を露出してメサ（２００）の両側を埋め込む埋め込み層（５０）と、埋め込み層（５０）および埋め込み層（５０）から露出したメサ（２００）の頂部を埋め込む第二導電型第二クラッド層（３１）と、を備え、埋め込み層（５０）は、半絶縁性材料がドープされた層を含み、第二導電型第一クラッド層（３０）が、メサ（２００）の頂部に向けて幅が狭くなるよう、第二導電型第一クラッド層（３０）と埋め込み層（５０）との境界（３３）が傾斜している。