GRAPHENE DOPING BY THERMAL POLING

• Main Authors: MARCHENA MARTIN-FRANCES, Miriam, PRUNERI, Valerio, MAZUMDER, Prantik
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 23.04.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS; CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; GLASS; INORGANIC CHEMISTRY; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; METALLURGY; MINERAL OR SLAG WOOL; NANOTECHNOLOGY; NON-LINEAR OPTICS; NON-METALLIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; TRANSPORTING

A method of forming a graphene device includes: providing a glass substrate with a blocking layer disposed thereon to form a stack; providing a first electrode and a second electrode; increasing the temperature of the stack to at least 100°C; applying an external electric field (VP) to the first electrode such that at least one metal ion of the glass substrate migrates toward the first electrode to create a depletion region in the glass substrate adjacent the second electrode; decreasing the temperature of the stack to room temperature while applying the external electric field to the first electrode; and after reaching room temperature, setting the external electric field to zero to create a frozen voltage region adjacent the second electrode. L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif de graphène comprenant : la fourniture d'un substrat en verre avec une couche de blocage disposée sur celui-ci pour former un empilement ; la fourniture d'une première électrode et d'une seconde électrode ; l'augmentation de la température de l'empilement à au moins 100 °C ; l'application d'un champ électrique externe (VP) à la première électrode de telle sorte qu'au moins un ion métallique du substrat de verre migre vers la première électrode pour créer une région d'appauvrissement dans le substrat de verre adjacente à la seconde électrode ; la diminution de la température de l'empilement à température ambiante tout en appliquant le champ électrique externe à la première électrode ; et après avoir atteint la température ambiante, le réglage du champ électrique externe à zéro pour créer une région de tension gelée adjacente à la seconde électrode.