SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: OTSUKA Takukazu, SAKAIRI Hiroyuki, YAMAGUCHI Atsushi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.04.2020
• Subjects: APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CONTROL OR REGULATION THEREOF; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERATION; SEMICONDUCTOR DEVICES

This semiconductor device A1 is provided with: a first terminal 201A and a second terminal 201B; a first switching element 1A that comprises a first gate electrode 12A, a first source electrode 13A and a first drain electrode 14A; and a second switching element 1B that comprises a second gate electrode 12B, a second source electrode 13B and a second drain electrode 14B. The first switching element 1A and the second switching element 1B are connected in series with each other between the first terminal 201A and the second terminal 201B. This semiconductor device A1 is also provided with a first capacitor 3A which is connected in parallel to the first switching element 1A and the second switching element 1B between the first terminal 201A and the second terminal 201B. The first switching element 1A and the second switching element 1B are aligned in the x direction. The first capacitor 3A overlaps with at least one of the first switching element 1A and the second switching element 1B when viewed in the z direction. Due to this configuration, surge voltage is able to be suppressed. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur A1 comprenant : une première borne 201A et une seconde borne 201B ; un premier élément de commutation 1A qui comprend une première électrode de grille 12A, une première électrode de source 13A et une première électrode de drain 14A ; et un second élément de commutation 1B qui comprend une seconde électrode de grille 12B, une seconde électrode de source 13B et une seconde électrode de drain 14B. Le premier élément de commutation 1A et le second élément de commutation 1B sont connectés en série l'un à l'autre entre la première borne 201A et la seconde borne 201B. Ce dispositif à semi-conducteur A1 comprend également un premier condensateur 3A qui est connecté en parallèle au premier élément de commutation 1A et au second élément de commutation 1B entre la première borne 201A et la seconde borne 201B. Le premier élément de commutation 1A et le second élément de commutation 1B sont alignés dans la direction x. Le premier condensateur 3A chevauche le premier élément de commutation et/ou le second élément de commutation 1B lorsqu'il est observé dans la direction z. Grâce à cette configuration, la surtension peut être supprimée. 半導体装置Ａ１は、第１端子２０１Ａおよび第２端子２０１Ｂと、第１ゲート電極１２Ａ、第１ソース電極１３Ａおよび第１ドレイン電極１４Ａを有する第１スイッチング素子１Ａと、第２ゲート電極１２Ｂ、第２ソース電極１３Ｂおよび第２ドレイン電極１４Ｂを有する第２スイッチング素子１Ｂと、を備える。第１端子２０１Ａおよび第２端子間２０１Ｂにおいて第１スイッチング素子１Ａおよび第２スイッチング素子１Ｂが直列に接続されている。半導体装置Ａ１は、第１端子２０１Ａおよび第２端子間２０１Ｂにおいて第１スイッチング素子１Ａおよび第２スイッチング素子１Ｂと並列に接続された第１コンデンサ３Ａを備えている。第１スイッチング素子１Ａおよび第２スイッチング素子１Ｂは、ｘ方向に並べられている。第１コンデンサ３Ａは、ｚ方向視において、第１スイッチング素子１Ａおよび第２スイッチング素子１Ｂの少なくともいずれかと重なる。このような構成により、サージ電圧の抑制を図ることができる。