METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL BY SOLUTION GROWTH ENABLING TRAPPING OF PARASITIC CRYSTALS

• Main Authors: BELOUET, Christian, PINTAULT, Bruno
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 23.04.2020
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Method for manufacturing a single crystal (10) by solution growth from a seed crystal (4), in a unit comprising a tank (1) and a growth platform (12) having a lower plate (5). The method comprises: fastening the seed to the lower plate; introducing a crystallization solution of density dS into the tank; treating the solution in order to render it supersaturated; bringing the seed into contact with the supersaturated solution; rotating the platform until the single crystal is obtained. Before bringing the seed into contact with the supersaturated solution, the method comprises the formation, in the tank, of a zone (22) for trapping parasitic crystals of density dC by introducing, into the tank, a liquid (21), immiscible with the growth solution, of density d>dS and d<dc, which forms with the growth solution an interface (24) located below the lower plate. Procédé de fabrication d'un monocristal (10) par croissance en solution à partir d'un germe cristallin (4), dans une installation comprenant une cuve (1),une plateforme de croissance (12) ayant un plateau inférieur (5). Le procédé comprend : la fixation du germe sur le plateau inférieur; l'introduction d'une solution de cristallisation de densité dS dans la cuve; le traitement de la solution pour la rendre sursaturée; la mise en contact du germe avec la solution sursaturée; la mise en rotation de la plateforme jusqu'à l'obtention du monocristal. Avant la mise en contact du germe avec la solution sursaturée, le procédé comprend la formation, dans la cuve, d'une zone de piégeage (22) de cristaux parasites de densité dC par introduction, dans la cuve, d'un liquide (21), non miscible avec la solution de croissance, de densité d>dS et d<dc, formant avec la solution de croissance une interface (24) située en dessous du plateau inférieur.