SYSTEM AND METHOD FOR FACILITATING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING

• Main Authors: ZHANG, Huaichen, VAN LARE, Marie-Claire
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 23.04.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

Described herein is a method for facilitating chemical mechanical polishing. The method comprises determining contact mechanics information indicative of contact pressures and friction forces between a wafer and a pad during the chemical mechanical polishing at a plurality of locations across the wafer. The contact pressures and friction forces are asymmetrically distributed across the wafer. The method also includes determining a post chemical mechanical polishing surface topography of the wafer based at least on the contact mechanics information. La présente invention concerne un procédé destiné à faciliter le polissage chimico-mécanique. Le procédé consiste à déterminer des informations de mécanique de contact indiquant des pressions de contact et des forces de frottement entre une tranche et un tampon pendant le polissage chimico-mécanique au niveau d'une pluralité d'emplacements à travers la tranche. Les pressions de contact et les forces de frottement sont réparties de manière asymétrique à travers la tranche. Le procédé consiste également à déterminer une topographie de surface post-polissage chimico-mécanique de la tranche en fonction au moins des informations de mécanique de contact.