GAS MIXTURE INCLUDING HYDROGEN FLUORIDE, ALCOHOL AND AN ADDITIVE FOR PREVENTING STICTION OF AND/OR REPAIRING HIGH ASPECT RATIO STRUCTURES

• Main Authors: DYLEWICZ, Rafal, ZHU, Ji, MELAET, Gerome, LAVDOVSKY, Nathan, MUI, David
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 09.04.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A gas mixture for treating a substrate in a substrate processing system includes hydrogen fluoride gas, a vapor of an alcohol, an additive consisting of a base, and a carrier gas. The gas mixture can be used to treat high aspect ratio (HAR) structures arranged on a surface of a substrate. A surface of the substrate may be spin rinsed using a first rinsing liquid. The first rinsing liquid is spun off from the surface of the substrate. The gas mixture is directed onto the surface of the substrate after the first rinsing liquid is dispensed. Un mélange gazeux pour traiter un substrat dans un système de traitement de substrat comprend du fluorure d'hydrogène gazeux, une vapeur d'un alcool, un additif constitué d'une base et d'un gaz vecteur. Le mélange gazeux peut être utilisé pour traiter des structures de rapport d'aspect élevé (HAR) disposées sur une surface d'un substrat. Une surface du substrat peut être rincée par centrifugation à l'aide d'un premier liquide de rinçage. Le premier liquide de rinçage est extrait de la surface du substrat. Le mélange gazeux est dirigé sur la surface du substrat après que le premier liquide de rinçage ait été distribué.