PRODUCTION METHOD FOR COLUMNAR SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: MASUOKA Fujio, HARADA Nozomu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 09.04.2020
• Subjects: ELECTRICITY

A belt-like Si column 8 having a mask material layer 6a disposed at the top thereof is formed on a P+ layer 4a. Then, SiGe layers 15a, 15b having mask material layers 13a, 13b disposed at the top thereof are formed so as to abut lateral faces of the belt-like Si column and surfaces of N+ layers 3a, 5a and the P+ layer 4a. Then, Si layers 15a, 15b having mask material layers 16a, 16b disposed at the top thereof are formed so as to abut lateral faces of SiGe layers 10aa, 10bb and surfaces of the N+ layers 3a, 5a. Then, belt-like Si columns 15aa, 15bb are formed by removing a bottom outer perimeter of the Si layers 15a, 15b using the mask material layers 6a, 13a, 13b, 16a, 16b as masks. Then, the mask material layers 13a, 13b and the SiGe layers 10aa, 10bb are removed so as to form Si columns separated from each other in a Y-direction are formed on the belt-like Si columns 8, 15aa, 15bb. Selon la présente invention, une colonne de Si en forme de bande (8) ayant une couche de matériau de masque (6a) disposée sur sa partie supérieure est formée sur une couche de P+ (4a). Ensuite, des couches de SiGe (15a, 15b) ayant des couches de matériau de masque (13a, 13b) disposées sur leur partie supérieure sont formées de façon à venir en butée contre des faces latérales de la colonne de Si en forme de bande et des surfaces de couches de N+ (3a, 5a) et de la couche de P+ (4a). Ensuite, des couches de Si (15a, 15b) ayant des couches de matériau de masque (16a, 16b) disposées sur leur partie supérieure sont formées de façon à venir en butée contre des faces latérales de couches de SiGe (10aa, 10bb) et des surfaces des couches de N+ (3a, 5a). Ensuite, des colonnes de Si en forme de bande (15aa, 15bb) sont formées par retrait d'un périmètre externe inférieur des couches de Si (15a, 15b) à l'aide des couches de matériau de masque (6a, 13a, 13b, 16a, 16b) en tant que masques. Ensuite, les couches de matériau de masque (13a, 13b) et les couches de SiGe (10aa, 10bb) sont éliminées de façon à former des colonnes de Si séparées les unes des autres dans une direction Y qui sont formées sur les colonnes de Si en forme de bande (8, 15aa, 15bb). Ｐ+層４ａ上に、頂部にマスク材料層６ａを有した帯状Ｓｉ柱８を形成する。そして、帯状Ｓｉ柱の側面と、Ｎ+層３ａ、５ａ、Ｐ+層４ａ表面に接し、且つ頂部にマスク材料層１３ａ、１３ｂを有したＳｉＧｅ層１５ａ、１５ｂを形成する。そして、ＳｉＧｅ層１０ａａ、１０ｂｂの側面と、Ｎ+層３ａ、５ａ表面に接し、且つ頂部にマスク材料層１６ａ、１６ｂを有したＳｉ層１５ａ、１５ｂを形成する。そして、マスク材料層６ａ、１３ａ、１３ｂ、１６ａ、１６ｂをマスクにしてＳｉ層１５ａ、１５ｂの底部外周を除去して帯状Ｓｉ柱１５ａａ、１５ｂｂを形成する。そして、マスク材料層１３ａ、１３ｂ、ＳｉＧｅ層１０ａａ、１０ｂｂを除去する。そして、帯状Ｓｉ柱８、１５ａａ、１５ｂｂにＹ方向で分離したＳｉ柱を形成する。