METROLOGY SYSTEM AND METHOD FOR MEASURING AN EXCITATION LASER BEAM IN AN EUV PLASMA SOURCE

• Main Authors: MANGER, Matthias, BAUMER, Florian
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 09.04.2020
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; COLORIMETRY; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT,POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED,VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; MEASURING; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; RADIATION PYROMETRY; TESTING; X-RAY TECHNIQUE

Die Erfindung betrifft ein Metrologiesystem und ein Verfahren zur Vermessung eines Anregungs-Laserstrahls in einer EUV-Plasmaquelle, wobei der Anregungs-Laserstrahl in der EUV-Plasmaquelle von einem Anregungs-Laser über eine Strahlsteuereinheit und eine Fokussieroptik auf ein in einer Plasmazündungsposition befindliches Targetmaterial geführt wird. Ein erfindungsgemäßes Metrologiesystem weist ein erstes Strahlanalysesystem (8) zur Analyse wenigstens eines aus dem Anregungs-Laserstrahl vor Reflexion an dem Targetmaterial ausgekoppelten ersten Messstrahls und ein zweites Strahlanalysesystem (9) zur Analyse wenigstens eines aus dem Anregungs-Laserstrahl nach Reflexion an dem Targetmaterial ausgekoppelten zweiten Messstrahls auf, wobei sowohl das erste Strahlanalysesystem (8) als auch das zweite Strahlanalysesystem (9) jeweils wenigstens eine Wellenfrontsensorik aufweisen. The invention relates to a metrology system and to a method for measuring an excitation laser beam in an EUV plasma source, wherein the excitation laser beam in the EUV plasma source is guided from an excitation laser via a beam control unit and a focussing optical system to a target material situated in a plasma ignition position. A metrology system according to the invention has a first beam analysis system (8) for analysing at least one first measurement beam decoupled from the excitation laser beam before reflection at the target material and a second beam analysis system (9) for analysing at least one second measurement beam decoupled from the excitation laser beam after reflection at the target material, wherein both the first beam analysis system (8) and the second beam analysis system (9) each have at least one wavefront sensor system. L'invention concerne un système de métrologie et un procédé pour mesurer un faisceau lumineux d'excitation dans une source de plasma ultraviolet extrême, le faisceau laser d'excitation dans la source de plasma ultraviolet extrême d'un laser d'excitation étant guidé par l'intermédiaire d'une unité de commande de faisceau et d'une optique de focalisation sur un matériau cible se trouvant dans une position d'amorçage de plasma. Un système de métrologie selon l'invention présente un premier système d'analyse de faisceau (8) pour l'analyse d'au moins un premier faisceau de mesure extrait du faisceau laser d'excitation avant réflexion sur le matériau cible et un deuxième système d'analyse de faisceau (9) pour l'analyse d'au moins un deuxième faisceau de mesure extrait du faisceau laser d'excitation après réflexion sur le matériau cible, aussi bien le premier système d'analyse de faisceau (8) que le deuxième système d'analyse de faisceau (9) présentant respectivement au moins un système de détection de front d'onde.