DUAL FREQUENCY SILANE-BASED SILICON DIOXIDE DEPOSITION TO MINIMIZE FILM INSTABILITY

• Main Authors: HAO, Boyi, KUMAR, Pragati, WEI, Joseph
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 02.04.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A method for performing plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using a dual frequency process to deposit a silane-based oxide film on a substrate includes arranging the substrate on a substrate support in a processing chamber configured to perform PECVD and supplying PECVD process gases into the processing chamber. The process gases include a first process gas including silicon and a second process gas including an oxidant. The method further includes, while supplying the PECVD process gases into the processing chamber, generating a dual frequency plasma within the processing chamber to deposit the silane-based oxide film on the substrate by supplying a first radio frequency (RF) voltage to the processing chamber, and supplying a second RF voltage to the processing chamber. The first RF voltage is supplied at a first frequency and the second RF voltage is supplied at a second frequency that is different than the first frequency. Procédé de réalisation d'un dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) utilisant un processus à double fréquence pour déposer un film d'oxyde à base de silane sur un substrat consistant à agencer le substrat sur un support de substrat dans une chambre de traitement conçue pour effectuer un PECVD et apporter des gaz de traitement PECVD dans la chambre de traitement. Les gaz de traitement comprennent un premier gaz de traitement comprenant du silicium et un second gaz de traitement comprenant un oxydant. Le procédé comprend en outre, tout en apportant les gaz de traitement PECVD dans la chambre de traitement, la génération d'un plasma à double fréquence dans la chambre de traitement pour déposer le film d'oxyde à base de silane sur le substrat en apportant une première tension de radiofréquence (RF) à la chambre de traitement, et en apportant une seconde tension RF à la chambre de traitement. La première tension RF est apportée à une première fréquence et la seconde tension RF est apportée à une seconde fréquence qui est différente de la première fréquence.