DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: GUNJI Ryosuke, SAIDA Shinsuke, JINMURA Hiroharu, NAKADA Yoshihiro, OKABE Tohru, TANIMURA Koji, ICHIKAWA Shinji, KOHARA Yoshihiro, TANIYAMA Hiroki, INOUE Akira
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.04.2020
• Subjects: ADVERTISING; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; DISPLAYING; EDUCATION; ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; LABELS OR NAME-PLATES; PHYSICS; SEALS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SIGNS

In the present invention: a TFT layer (8) and an organic EL element layer (9) are formed on a resin substrate layer (7) in said order, wherein the TFT layer has conduction parts (39) comprising a source wiring (16s), a high-level power wiring (16hp), and inter-TFT connection wiring (32, 34, 35) disposed on an inter-layer insulating film (21), and a flattening film (17) covering the conduction parts; a bent section (B), which comprises parts where slits (60) are formed in an inorganic insulating film such as the inter-layer insulating film, is disposed in a frame region (F); and flattening auxiliary films (50), which are formed on the same layer and made of the same material as a frame flattening film (61) filling the slits (60) of the bent section (B) and which are covered by the flattening film (17) together with the conduction parts (39), are provided between adjoining conduction parts (39). Dans la présente invention : une couche de TFT (8) et une couche d'élément EL organique (9) sont formées sur une couche de substrat de résine (7) dans cet ordre, la couche de TFT ayant des parties de conduction (39) comprenant un câblage de source (16s), un câblage d'alimentation de haut niveau (16hp), et un câblage de connexion inter-TFT (32, 34, 35) disposées sur un film isolant intercouche (21), et un film d'aplatissement (17) recouvrant les parties de conduction ; une section courbée (B), qui comprend des parties dans lesquelles des fentes (60) sont formées dans un film isolant inorganique tel que le film isolant intercouche, est disposée dans une région d'encadrement (F) ; et des films d'aplatissement auxiliaires (50), qui sont formés sur la même couche et constitués du même matériau qu'un film d'aplatissement d'encadrement (61) remplissant les fentes (60) de la section courbée (B) et qui sont recouverts par le film d'aplatissement (17) conjointement avec les parties de conduction (39), sont disposés entre des parties de conduction adjacentes (39). 樹脂基板層（７）上にＴＦＴ層（８）と有機ＥＬ素子層（９）とがこの順に設けられ、ＴＦＴ層が、層間絶縁膜（２１）上に設けられたソース配線（１６ｓ）、ハイレベル電源配線（１６ｈｐ）およびＴＦＴ間の接続配線（３２，３４，３５）などの導電部（３９）と、これら各導電部を覆う平坦化膜（１７）とを有し、額縁領域（Ｆ）に、層間絶縁膜などの無機絶縁膜にスリット（６０）が形成された部分からなる折曲げ部（Ｂ）が設けられ、隣り合う導電部（３９）の間には、折曲げ部（Ｂ）のスリット（６０）を埋める額縁平坦化膜（６１）と同一層に同一材料によって形成され、平坦化膜（１７）によって導電部（３９）と共に覆われる平坦化補助膜（５０）が設けられている。