CONDUCTIVE THICK FILM PASTE FOR SILICON NITRIDE AND OTHER SUBSTRATES
Conductive thick film compositions compatible to aluminum nitride, alumina and silicon nitride substrates for microelectronic circuit application. The conductive thick film composition includes first copper powder, second copper powder, and glass component. The conductive thick film composition furt...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
12.03.2020
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Summary: | Conductive thick film compositions compatible to aluminum nitride, alumina and silicon nitride substrates for microelectronic circuit application. The conductive thick film composition includes first copper powder, second copper powder, and glass component. The conductive thick film composition further includes CU2O, Ag, and at least one metal element selected from Ti, V, Zr, Mn, Cr, Co, and Sn. After firing, the conductive thick film composition exhibit improved sheet resistivity, and improved adhesion with underlying substrate.
L'invention concerne des compositions conductrices en couche épaisse compatibles avec des substrats de nitrure d'aluminium, d'alumine et de nitrure de silicium pour une application de circuit microélectronique. La composition conductrice en couche épaisse renferme une première poudre de cuivre, une seconde poudre de cuivre et un constituant de verre. La composition conductrice en couche épaisse comprend en outre du CU2O, de l'Ag, et au moins un élément métallique choisi parmi le Ti, le V, le Zr, le Mn, le Cr, le Co et le Sn. Après cuisson, la composition conductrice en couche épaisse présente une résistivité de couche améliorée, et une adhérence avec un substrat sous-jacent améliorée. |
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Bibliography: | Application Number: WO2019US49838 |