ETCHING LIQUID

• Main Authors: KIMURA Yosuke, OKAZAKI Shota, OYAMA Tsubasa, KITAYAMA Hiroaki, SATO Kanji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.03.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

One embodiment provides an etching liquid capable of improving the ratio of the etching speed of a silicon nitride film relative to the etching speed of a silicon oxide film. One embodiment of the present disclosure relates to an etching liquid for use in a process for removing a silicon nitride film from a substrate having the silicon nitride film and a silicon oxide film. The etching liquid is obtained by blending: a solution which contains silica and an alkali; phosphoric acid; and water. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un liquide de gravure capable d'améliorer le rapport de la vitesse de gravure d'un film de nitrure de silicium par rapport à la vitesse de gravure d'un film d'oxyde de silicium. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un liquide de gravure destiné à être utilisé dans un procédé de retrait d'un film de nitrure de silicium d'un substrat ayant le film de nitrure de silicium et un film d'oxyde de silicium. Le liquide de gravure est obtenu en mélangeant : une solution qui contient de la silice et un alcali ; de l'acide phosphorique ; et de l'eau. 一態様において、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜のエッチング速度の比を向上可能なエッチング液を提供する。　本開示は、一態様において、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程用のエッチング液であって、シリカ及びアルカリを含む溶液と、リン酸と、水とを配合してなる、エッチング液に関する。