DISPLAY DEVICE

• Main Authors: ICHIKAWA, Shinji, JINMURA, Hiroharu, TANIYAMA, Hiroki, GUNJI, Ryosuke, ARIGA, Kohji, OKABE, Tohru, KOHARA, Yoshihiro, INOUE, Akira, SAIDA, Shinsuke, NAKADA, Yoshihiro, TANIMURA, Koji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.02.2020
• Subjects: ADVERTISING; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; DISPLAYING; EDUCATION; LABELS OR NAME-PLATES; PHYSICS; SEALS; SIGNS

An oxide semiconductor layer includes an island-like semiconductor line (SS) which is positioned between a plurality of drivers and a display region and intersects with a plurality of control lines and a plurality of power lines in plan view. The semiconductor line contacts the plurality of control lines (Gn, En) at openings of a gate insulating film (16), contacts the plurality of power lines (In, Qn) at openings of a first inorganic insulating film (18), and has a plurality of waisted portions (WT). Une couche semi-conductrice à oxyde comprend une ligne semi-conductrice de type îlot (SS) qui est positionnée entre une pluralité de pilotes et une région d'affichage, et croise une pluralité de lignes de commande et une pluralité de lignes d'alimentation en vue en plan. La ligne semi-conductrice touche la pluralité des lignes de commande (Gn, En) au niveau d'ouvertures d'un film d'isolation de grille (16), touche la pluralité des lignes d'alimentation (In, Qn) au niveau d'ouvertures d'un premier film isolant inorganique (18) et comporte une pluralité de parties étranglées (WT). 酸化物半導体層に、平面視において複数のドライバおよび表示領域の間に位置し、複数の制御線および複数の電源線と交差する島状の半導体ライン（ＳＳ）が含まれ、前記半導体ラインは、ゲート絶縁膜（１６）の開口において前記複数の制御線（Ｇｎ・Ｅｎ）と接触するとともに、第１無機絶縁膜（１８）の開口において前記複数の電源線（Ｉｎ・Ｑｎ）と接触し、かつ複数の括れ部（ＷＴ）を有する。