METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, SOLDER SHEET, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

This method of manufacturing a semiconductor device includes: a step of preparing a second laminate which is obtained by mounting a first laminate on a base substrate via a solder sheet; a step of installing the second laminate inside a chamber and preheating the second laminate at a temperature at...

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Main Authors MIYAZAKI, Takaaki, BANNO, Yuichiro, IKEDA, Osamu, NAKATSUKA, Tetsuya
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 30.01.2020
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Summary:This method of manufacturing a semiconductor device includes: a step of preparing a second laminate which is obtained by mounting a first laminate on a base substrate via a solder sheet; a step of installing the second laminate inside a chamber and preheating the second laminate at a temperature at or below a melting point of solder of the solder sheet while introducing reducing gas into the chamber; and a step of heating the second laminate at a temperature at or above the melting point of the solder of the solder sheet. The solder sheet includes a recessed portion (C1) on a ceramic substrate side and a recessed portion (C3) on a base substrate side, and in the preheating step, the solder sheet is in contact with a plated layer at both ends of the recessed portion (C1) and is in contact with the plated layer at both ends of the recessed portion (C3). In plan view, the recessed portion (C1) and the recessed portion (C3) extend continuously inside the solder sheet to the exterior of the solder sheet. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprenant : une étape de préparation d'un second stratifié qui est obtenu par montage d'un premier stratifié sur un substrat de base par l'intermédiaire d'une feuille de brasage ; une étape d'installation du second stratifié à l'intérieur d'une chambre et de préchauffage du second stratifié à une température égale ou inférieure à un point de fusion de brasure de la feuille de brasage tout en introduisant un gaz réducteur dans la chambre ; et une étape de chauffage du second stratifié à une température égale ou supérieure au point de fusion de la brasure de la feuille de brasage. La feuille de brasage comprend une partie évidée (C1) sur un côté substrat céramique et une partie évidée (C3) sur un côté substrat de base, et dans l'étape de préchauffage, la feuille de brasage est en contact avec une couche plaquée aux deux extrémités de la partie évidée (C1) et est en contact avec la couche plaquée aux deux extrémités de la partie évidée (C3). Dans une vue en plan, la partie évidée (C1) et la partie évidée (C3) s'étendent en continu à l'intérieur de la feuille de brasage vers l'extérieur de la feuille de brasage. 半導体装置の製造方法は、半田シートを介して第1積層体をベース基板上に搭載した第2積層体を準備する工程、第2積層体をチャンバー内に設置し、チャンバー内に還元ガスを流入しながら、第2積層体を、半田シートの半田の融点以下の温度で予備加熱する工程、第2積層体を、半田シートの半田の融点以上の温度で本加熱する工程、を含む。半田シートは、セラミック基板側に凹部(C1)、および、ベース基板側に凹部(C3)を含み、予備加熱工程で、半田シートは、凹部(C1)の両端でメッキ層に接触しており、凹部(C3)の両端でメッキ層に接触している。そして、平面視において、凹部(C1)および凹部(C3)は、半田シートの内部に連続して延在し、半田シートの外部に達している。
Bibliography:Application Number: WO2019JP10159