PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD

• Main Author: SONODA, Yasushi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.01.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The purpose of the present invention is to provide a plasma processing device and a plasma processing method with which it is possible to perform plasma etching with high shape controllability and little difference in the application time of high-frequency power among a plurality of plasma processing devices that perform plasma processing while periodically switching between gases. According to the present invention, when controlling, on the basis of the change in plasma impedance that occurs when switching from a first gas at a first step to a second gas at a second step, so as to change a second high-frequency power to be applied to a stage from the value of the second high-frequency power at the first step to the value of the second high-frequency power at the second step, the supply time for the first gas is controlled using the time spanning from the start time of the first step to the supply start time of the first gas and the time spanning from the end time of the first step to the supply end time of the first gas, such that the supply time of the second high-frequency power at the first step is substantially the same as the time of the first step. L'objectif de la présente invention est de fournir un dispositif de traitement par plasma et un procédé de traitement par plasma avec lesquels il est possible d'effectuer un traitement par plasma avec une commande de forme élevée et une faible différence dans le temps d'application d'une puissance haute fréquence parmi une pluralité de dispositifs de traitement par plasma qui réalisent un traitement par plasma tout en commutant périodiquement entre des gaz. Selon la présente invention, lors de la commande, sur la base du changement d'impédance de plasma qui se produit lors de la commutation d'un premier gaz à une première étape vers un second gaz à une seconde étape, de façon à modifier une seconde puissance haute fréquence à appliquer à un étage, de la valeur de la seconde puissance haute fréquence à la première étape, à la valeur de la seconde puissance haute fréquence à la seconde étape, le temps d'alimentation pour le premier gaz est commandé à l'aide du temps entre le début de la première étape et le début d'alimentation du premier gaz, et du temps entre la fin de la première étape et la fin d'alimentation du premier gaz, de telle sorte que le temps d'alimentation de la deuxième puissance haute fréquence à la première étape est sensiblement le même que le temps de la première étape. 本発明は、ガスを周期的に切り替えながらプラズマ処理を行う複数のプラズマ処理装置間で、高周波電力の印加時間の機差が小さくかつ形状制御性の高いプラズマエッチングを行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。本発明は、第一のステップの第一のガスから第二のステップの第二のガスへ切り替える時に生じるプラズマインピーダンスの変化に基づいて試料台に印加される第二の高周波電力を前記第一のステップの前記第二の高周波電力の値から前記第二のステップの前記第二の高周波電力の値へ変化させるように制御する場合、前記第一のステップの前記第二の高周波電力の供給時間が前記第一のステップの時間と概ね同等となるように、前記第一のステップの開始時間から前記第一のガスの供給開始時間までの時間、及び、前記第一のステップの終了時間から前記第一のガスの供給終了時間までの時間を用いて前記第一のガスの供給時間を制御する。