SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: TANAKA, So
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.01.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This silicon carbide semiconductor device comprises a silicon carbide semiconductor chip and a resin that covers the silicon carbide semiconductor chip. The silicon carbide semiconductor chip includes a silicon carbide substrate, a first insulating film on the silicon carbide substrate, and a second insulating film on the first insulating film. The silicon carbide substrate comprises a first main surface in contact with the first insulating film, and comprises a second main surface and an outer peripheral surface. The resin covers both the outer peripheral surface and the second insulating film. The Young's modulus of the second insulating film is less than the Young's modulus of the resin. The thermal expansion coefficient of the second insulating film is greater than the thermal expansion coefficient of the silicon carbide substrate and is greater than the thermal expansion coefficient of the resin. The second insulating film comprises a first outer peripheral end section. In a cross section perpendicular to the first main surface, the first outer peripheral end section is provided along the outer peripheral surface. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur en carbure de silicium comprenant une puce semi-conductrice en carbure de silicium et une résine qui recouvre la puce semi-conductrice en carbure de silicium. La puce semi-conductrice en carbure de silicium comprend un substrat en carbure de silicium, un premier film isolant sur le substrat en carbure de silicium et un second film isolant sur le premier film isolant. Le substrat en carbure de silicium comprend une première surface principale en contact avec le premier film isolant, et comprend une seconde surface principale et une surface périphérique externe. La résine recouvre à la fois la surface périphérique externe et le second film isolant. Le module de Young du second film isolant est inférieur au module de Young de la résine. Le coefficient de dilatation thermique du second film isolant est supérieur au coefficient de dilatation thermique du substrat en carbure de silicium et est supérieur au coefficient de dilatation thermique de la résine. Le second film isolant comprend une première section d'extrémité périphérique externe. Dans une section transversale perpendiculaire à la première surface principale, la première section d'extrémité périphérique externe est disposée le long de la surface périphérique externe. 炭化珪素半導体装置は、炭化珪素半導体チップと、炭化珪素半導体チップを覆う樹脂とを有している。炭化珪素半導体チップは、炭化珪素基板と、炭化珪素基板上にある第１絶縁膜と、第１絶縁膜上にある第２絶縁膜とを含んでいる。炭化珪素基板は、第１絶縁膜に接する第１主面と、第２主面と、外周面とを有している。樹脂は、外周面および第２絶縁膜の双方を覆っている。第２絶縁膜のヤング率は、樹脂のヤング率よりも小さい。第２絶縁膜の熱膨張係数は、炭化珪素基板の熱膨張係数よりも大きく、かつ樹脂の熱膨張係数よりも大きい。第２絶縁膜は、第１外周端部を有している。第１主面に対して垂直な断面において、第１外周端部は、外周面に沿って設けられている。