METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE-PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM

• Main Authors: KURIBAYASHI Koei, HATTA Hiroki, SONE Shin, HANASHIMA Takeo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 09.01.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

This method for manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a film on substrates by performing, a predetermined number of times, a cycle in which (a) a step of performing, a predetermined number of times, a first set and (b) a step of performing, a predetermined number of times, a second set are non-simultaneously performed, the first set comprisng a step of supplying, through first jet ports of first nozzles disposed along a substrate arrangement direction of a substrate arrangement region in which substrates are arranged, a raw material to the substrates and a step of supplying a reactant to the substrates are non-simultaneously performed, and the second set comprising a step of supplying, through second jet ports of second nozzles disposed along the substrate arrangement direction of the substrate arrangement region, the raw material to the substrates and a step of supplying the reactant to the substrates are non-simultaneously performed. The first nozzles and the second nozzles have different structures, and at least part of a region in which the first jet ports are installed in the first nozzles and at least part of a region in which the second jet ports are installed in the second nozzles are overlapped in the substrate arrangement direction. La présente invention concerne un procédé destiné à fabriquer un dispositif semi-conducteur qui consiste en une étape destinée à former une pellicule sur des substrats en mettant en œuvre, un nombre préétabli de fois, un cycle selon lequel (a) une étape destinée à mettre en œuvre, un nombre préétabli de fois, un premier ensemble et (b) une étape destinée à mettre en œuvre, un nombre préétabli de fois, un deuxième ensemble sont conduites non simultanément, le premier ensemble consistant en ce qu'une étape destinée à injecter, à travers de premiers ports de jet de premières buses disposées le long d'une direction d'agencement de substrats d'une zone d'agencement de substrats dans laquelle des substrats sont agencés, une matière première vers les substrats et une étape destinée à injecter un réactif vers les substrats sont conduites non simultanément, et le deuxième ensemble consistant en ce qu'une étape destinée à injecter, à travers de deuxièmes ports de jet de deuxièmes buses disposées le long de la direction d'agencement de substrats de la zone d'agencement de substrats, la matière première vers les substrats et une étape destinée à injecter le réactif vers les substrats sont conduites non simultanément. Les premières buses et les deuxièmes buses ont des structures différentes, et au moins une partie d'une zone dans laquelle les premiers ports de jet sont installés dans les premières buses et au moins une partie d'une zone dans laquelle les deuxièmes ports de jet sont installés dans les deuxièmes buses sont superposées dans la direction d'agencement de substrats. （ａ）基板が配列される基板配列領域の基板配列方向に沿って配置された第１ノズルの第１噴出口より基板に対して原料を供給する工程と、基板に対して反応体を供給する工程と、を非同時に行う第１セットを所定回数行う工程と、（ｂ）基板配列領域の基板配列方向に沿って配置された第２ノズルの第２噴出口より基板に対して原料を供給する工程と、基板に対して反応体を供給する工程と、を非同時に行う第２セットを所定回数行う工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、基板上に膜を形成する工程を有し、第１ノズルの構造と第２ノズルの構造とを異ならせ、かつ、第１ノズルにおける第１噴出口の設置領域の少なくとも一部と、第２ノズルにおける第２噴出口の設置領域の少なくとも一部とを、基板配列方向において重複させる。