SPUTTER DEVICE

• Main Authors: TAKEI, Junichi, WATANABE, Naoki, SONE, Hiroshi, SUZUKI, Naoyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.01.2020
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The sputter device according to one embodiment of the present invention has: a treatment vessel in which a substrate is housed; a slit plate which is disposed above the substrate inside the treatment vessel so as to be located parallel to a surface of the substrate and which has formed therein an opening that penetrates in the plate-thickness direction; and a heat-receiving plate which is formed of a material having a higher heat resistance than the slit plate and which is placed on top of the slit plate beneath a target material provided at a slant with respect the slit plate. Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un dispositif de pulvérisation comprenant: une cuve de traitement dans laquelle un substrat est reçu; une plaque à fentes qui est disposée au-dessus du substrat à l'intérieur de la cuve de traitement de manière à être positionnée parallèlement à une surface du substrat et qui contient une ouverture formée qui pénètre dans la direction de l'épaisseur de plaque; et une plaque de réception de chaleur qui est formée d'un matériau ayant une résistance à la chaleur supérieure à celle de la plaque à fentes et qui est placée au-dessus de la plaque à fentes sous un matériau cible disposé à une inclinaison par rapport à la plaque à fentes. 本開示の一態様によるスパッタ装置は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内の前記基板の上方に前記基板の表面と平行に配置され、板厚方向に貫通する開口部を有するスリット板と、前記スリット板に対して傾斜させて設けられるターゲット材の下方において前記スリット板の上に載置され、前記スリット板よりも耐熱性が高い材料により形成された熱受け用プレートと、を有する。