MEMORY DEVICE

• Main Authors: HAMADA, Tatsufumi, OSHIMA, Yasunori, UCHIMURA, Yasuhiro, SOTOME, Shinichi, KUKI, Tomohiro, ARISUMI, Osamu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 26.12.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention improves the yield of a memory device. A memory device according to one embodiment of the present invention is provided with: a substrate 100; a structure 50 which is superposed on the substrate 100, while comprising a plurality of conductive layers 70; and a pillar MP which is provided within the structure 50, while comprising a semiconductor layer 82 that extends in a direction that is perpendicular to the surface of the substrate 100. The semiconductor layer 82 comprises a first portion 820 and a second portion 824 that is positioned between the first portion 820 and the substrate 100; and the film thickness T1 of the first portion 820 is thicker than the film thickness T2 of the second portion 822. La présente invention améliore le rendement d'un dispositif de mémoire. Un dispositif de mémoire selon un mode de réalisation de la présente invention comporte : un substrat 100 ; une structure 50 qui est superposée sur le substrat 100, tout en comprenant une pluralité de couches conductrices 70 ; et un pilier MP qui est disposé à l'intérieur de la structure 50, tout en comprenant une couche semi-conductrice 82 qui s'étend dans une direction qui est perpendiculaire à la surface du substrat 100. La couche semi-conductrice 82 comprend une première partie 820 et une seconde partie 824 qui est positionnée entre la première partie 820 et le substrat 100 ; et l'épaisseur de film T1 de la première partie 820 est plus épaisse que l'épaisseur de film T2 de la seconde partie 822. メモリデバイスの歩留まりを向上する。 実施形態のメモリデバイスは、基板１００と、基板１００上に積層された複数の導電層７０を含む構造体５０と、構造体５０内に設けられ、基板１００の表面に対して垂直方向に延在する半導体層８２を含むピラーＭＰと、備え、半導体層８２は、第１の部分８２０と、第１の部分８２０と基板１００との間の第２の部分８２４と、を含み、第１の部分８２０の膜厚Ｔ１は、前記第２の部分８２２の膜厚Ｔ２より厚い。