SURFACE-EMITTING MICRO-LED MODULE

• Main Authors: SEO, Juok, YOO, Taekyung
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 12.12.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A surface-emitting micro-LED module is disclosed. The surface-emitting micro-LED module comprises: a mount substrate having a conductive pattern formed thereon; multiple micro-LED chips electrically connected to the conductive pattern; and a wavelength conversion layer for converting the wavelength of light emitted by the multiple micro-LED chips. Each of the multiple micro-LED chips comprises: an insulating substrate; a first conductive-type semiconductor layer formed beneath the insulating substrate, a second conductive-type semiconductor layer; and an active layer formed between the first conductive-type semiconductor layer and the second conductive-type semiconductor layer. A lower reflective part is formed beneath the first conductive-type semiconductor layer so as to correspond to the active layer. An upper reflective part is formed on the insulating substrate. Light emitted from the active layer is reflected by the lower reflective part and then is wavelength-converted by the wavelength conversion layer, or is reflected by the upper reflective and then is wavelength-converted by the wavelength conversion layer. L'invention concerne un module de micro-DEL à émission par la surface. Le module de micro-DEL à émission par la surface comprend : un substrat de montage sur lequel est formé un motif conducteur ; de multiples puces à micro-DEL connectées électriquement au motif conducteur ; et une couche de conversion de longueur d'onde pour convertir la longueur d'onde de la lumière émise par les multiples puces à micro-DEL. Chacune des multiples puces à micro-DEL comprend : un substrat isolant ; une couche semi-conductrice de premier type de conductivitée formée sous le substrat isolant, une couche semi-conductrice de second type de conductivité ; et une couche active formée entre la couche semi-conductrice de premier type de conductivité et la couche semi-conductrice de second type de conductivité. Une partie réfléchissante inférieure est formée en dessous de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité de manière à correspondre à la couche active. Une partie réfléchissante supérieure est formée sur le substrat isolant. La lumière émise par la couche active est réfléchie par la partie réfléchissante inférieure, puis est convertie en longueur d'onde par la couche de conversion de longueur d'onde, ou est réfléchie par la partie réfléchissante supérieure, puis est convertie en longueur d'onde par la couche de conversion de longueur d'onde. 면발광 마이크로 엘이디 모듈이 개시된다. 이 면발광 마이크로 엘이디 모듈은 도전성 패턴이 형성된 마운트 기판; 상기 도전성 패턴에 전기적으로 연결되는 복수개의 마이크로 엘이디 칩들; 및 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들에서 발광하는 광을 파장 변환하는 파장변환층을 포함하며, 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들 각각은 절연성 기판과, 상기 절연성 기판의 하부에 형성된 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 형성되는 활성층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층의 하부에는 상기 활성층과 대응하여 하부 반사부가 형성되고, 상기 절연성 기판상에는 상부 반사부가 형성되며, 상기 활성층에서 발광하는 광은 상기 하부 반사부에서 반사되어 상기 파장변환층을 통해 파장 변환되거나, 상기 상부 반사부에 반사되어 상기 파장변환층을 통해 파장 변환된다.