METHOD FOR PRODUCING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: NAKAI Eiji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.11.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a method for producing a group III-V compound semiconductor device (100), the method comprising: a first step in which a group V source gas (250d) and an impurity source gas (250e) are supplied to a reactor (220) which is set to a first temperature (T1), and impurities are added to an undoped group III-V compound semiconductor layer; and a second step in which the supply of the impurity source gas (250e) is stopped, the temperature of the reactor (220) is raised to a second temperature (T2) higher than the first temperature (T1), and the supply of the group V source gas (250d) is continued. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur composé de groupe III-V (100), le procédé comprenant : une première étape au cours de laquelle un gaz source de groupe V (250d) et un gaz source d'impuretés (250e) sont fournis à un réacteur (220) qui est réglé à une première température (T1), et des impuretés sont ajoutées à une couche semi-conductrice composée de groupe III-V non dopée ; et une seconde étape au cours de laquelle l'alimentation en gaz source d'impuretés (250e) est arrêtée, la température du réacteur (220) est augmentée à une seconde température (T2) supérieure à la première température (T1), et l'alimentation en gaz source de groupe V (250d) est poursuivie. 第１の温度（Ｔ１）に設定した反応炉（２２０）に、Ｖ族原料ガス（２５０ｄ）と不純物原料ガス（２５０ｅ）を供給して、アンドープのIII-Ｖ族化合物半導体層に不純物を添加する第１の工程と、前記不純物原料ガス（２５０ｅ）の供給を止めて、前記反応炉（２２０）の温度を前記第１の温度（Ｔ１）よりも高い第２の温度（Ｔ２）まで昇温し、前記Ｖ族原料ガス（２５０ｄ）の供給は続けて行う第２の工程と、を備えているIII-Ｖ族化合物半導体装置（１００）の製造方法。