PRODUCTION METHOD FOR SiC EPITAXIAL SUBSTRATE

• Main Author: HATAKENAKA, Susumu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.11.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A SiC growth speed change layer (2) is formed on a SiC bulk substrate (1) at a growth speed that is gradually increased from an initial growth speed of 2.0 μm/h or less. The growth speed change rate of the SiC growth speed change layer (2) is 720 μm/h2 or less. The molar flow ratio of nitrogen to carbon at the beginning of growth of the SiC growth speed change layer (2) is 2.4 or less. Selon la présente invention, une couche de variation de vitesse de croissance de SiC (2) est formée sur un substrat en vrac de SiC (1) à une vitesse de croissance qui est progressivement augmentée à partir d'une vitesse de croissance initiale inférieure ou égale à 2,0 µm/h. Le taux de variation de la vitesse de croissance de la couche de variation de vitesse de croissance de SiC (2) est inférieur ou égal à 720 µm/h2. Le rapport d'écoulement molaire de l'azote au carbone au début de la croissance de la couche de variation de vitesse de croissance de SiC (2) est inférieur ou égal à 2,4. ＳｉＣバルク基板（１）上に２．０μｍ／ｈ以下の初期成長速度から成長速度を速くしながらＳｉＣ成長速度変化層（２）を形成する。ＳｉＣ成長速度変化層（２）の成長速度変化率を７２０μｍ／ｈ２以下とする。ＳｉＣ成長速度変化層（２）の成長開始時の炭素に対する窒素のモル流量比を２．４以下とする。