SEMICONDUCTOR LASER DIODE, LASER COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LASER DIODE

• Main Authors: LELL, Alfred, ALI, Muhammad, EICHLER, Christoph, GERHARD, Sven
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 14.11.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

Es wird eine Halbleiterlaserdiode (2) angegeben mit: - einer Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb Laserstrahlung von einer Facette aussendet, und - einer ersten Passivierungsschicht (11), wobei - die Halbleiterschichtenfolge (3) einen Stegwellenleiter (5) aufweist, der eine Deckfläche (7) und daran angrenzende Seitenflächen (6) aufweist, - die erste Passivierungsschicht (11) die Seitenflächen (6) des Stegwellenleiters (5) bereichsweise bedeckt, und - die Seitenflächen (6) des Stegwellenleiters (5) bereichsweise frei von der ersten Passivierungsschicht (11) sind. Außerdem werden ein Laserbauteil und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiodeangegeben. The invention relates to a semiconductor laser diode (2) having: - a semiconductor layer sequence (3), which emits laser radiation from a facet during operation, and - a first passivation layer (11), wherein - the semiconductor layer sequence (3) has a ridge waveguide (5), which has a top surface (7) and lateral surfaces (6) adjoining thereto, - the first passivation layer (11) covers some regions of the lateral surfaces (6) of the ridge waveguide (5), and - the lateral surfaces (6) of the ridge waveguide (5) are free of the first passivation layer (11) in some regions. The invention also relates to a laser component and a method for producing a semiconductor laser diode. L'invention concerne une diode laser à semi-conducteur (2) comprenant : - une séquence de couches de semi-conducteur (3), qui émet durant le fonctionnement un rayonnement laser à partir d'une facette, et - une première couche de passivation (11), la séquence de couches de semi-conducteur (3) comprenant un guide d'ondes à nervures (5), lequel comprend une surface de recouvrement (7) et des surfaces latérales (6) adjacentes à celle-ci, - la première couche de passivation (11) recouvrant par zones les surfaces latérales (6) du guide d'ondes à nervures (5), et - les surfaces latérales (6) du guide d'ondes à nervures (5) étant par zones libres de la première couche de passivation (11). L'invention concerne en outre un composant laser et un procédé pour la production d'une diode laser à semi-conducteur.