SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SUGAYA, Kentaro, NEI, Kosei, MURAKAWA, Tsutomu, TAKEUCHI, Toshihiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 31.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device capable of miniaturization or high integration. The semiconductor device includes: a first layer; and a second layer on the first layer. The first layer and the second layer each has a transistor. The transistor of the first layer and the transistor of the second layer each includes: a first oxide; a first conductor and a second conductor on the first oxide; a first insulator disposed covering the first conductor, the second conductor, and the first oxide; a second insulator on the first insulator; a second oxide disposed between the first conductor and the second conductor, on the first oxide; a third insulator on the second oxide; a third conductor on the third insulator; and a fourth insulator in contact with a top surface of the second insulator, a top surface of the second oxide, a top surface of the third insulator, and a top surface of the third conductor. The first insulator and the fourth insulator are less permeable to oxygen than the second insulator. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui permet de réaliser une miniaturisation ou une haute intégration. Le dispositif à semi-conducteur comprend : une première couche ; et une deuxième couche sur la première couche. La première couche et la seconde couche comprennent chacune un transistor. Le transistor de la première couche et le transistor de la seconde couche comprennent chacun : un premier oxyde ; un premier conducteur et un deuxième conducteur sur le premier oxyde ; un premier isolant disposé de manière à recouvrir le premier conducteur, le deuxième conducteur et le premier oxyde ; un deuxième isolant sur le premier isolant ; un deuxième oxyde disposé entre le premier conducteur et le deuxième conducteur, sur le premier oxyde ; un troisième isolant sur le deuxième oxyde ; un troisième conducteur sur le troisième isolant ; et un quatrième isolant en contact avec une surface supérieure du deuxième isolant, une surface supérieure du deuxième oxyde, une surface supérieure du troisième isolant et une surface supérieure du troisième conducteur. Le premier isolant et le quatrième isolant sont moins perméables à l'oxygène que le deuxième isolant. 要約書 微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供する。 第１の層と、第１の層上の第２の層と、を有し、第１の層、および第２の層は、それぞれトランジス タを有し、第１の層のトランジスタおよび第２の層のトランジスタは、それぞれ、第１の酸化物と、 第１の酸化物上の第１の導電体および第２の導電体と、 第１の導電体、 第２の導電体、 および第１の 酸化物を覆って配置された第１の絶縁体と、第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、第１の酸化物上で、 第１の導電体と第２の導電体の間に配置される第２の酸化物と、第２の酸化物上の第３の絶縁体と、 第３の絶縁体上の第３の導電体と、第２の絶縁体の上面、第２の酸化物の上面、第３の絶縁体の上面、 および第３の導電体の上面に接する、第４の絶縁体と、を有し、第１の絶縁体および第４の絶縁体は、 第２の絶縁体より酸素を透過させにくい、半導体装置。