TILED LATERAL BJT

• Main Authors: KUSHNER, Vadim, BEIKAE, Nima
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 24.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A lateral transistor tile is formed with first and second collector regions that longitudinally span first and second sides of the transistor tile; and a base region and an emitter region that are between the first and second collector regions and are both centered on a longitudinal midline of the transistor tile. A base-collector current, a collector-emitter current, and a base-emitter current flow horizontally; and the direction of the base-emitter current is perpendicular to the direction of the base-collector current and the collector-emitter current. Lateral BJT transistors having a variety of layouts are formed from a plurality of the tiles and share common components thereof. La présente invention concerne une tuile de transistor latéral est formée avec des première et seconde régions de collecteur qui s'étendent longitudinalement sur des premier et second côtés de la tuile de transistor ; et une région de base et une région d'émetteur qui se trouvent entre les première et seconde régions de collecteur et sont toutes deux centrées sur une ligne médiane longitudinale de la tuile de transistor. Un courant de collecteur de base, un courant de collecteur-émetteur et un flux de courant de base-émetteur horizontalement ; et la direction du courant de base-émetteur est perpendiculaire à la direction du courant de collecteur de base et du courant de collecteur-émetteur. Des transistors transistor bipolaire à jonctions (BJT) latéraux ayant une variété d'agencements sont formés à partir d'une pluralité de tuiles et partagent des composants communs de ceux-ci.