SEMICONDUCTOR DEVICE

Provided is a semiconductor device characterized by comprising: a substrate including a circuit region and a peripheral region arranged so as to surround the circuit region in a plan view; a first wiring layer formed on the substrate; a second wiring layer formed on the first wiring layer; a third w...

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Main Authors SAWADA, Toyoji, HARA, Akio, OCHIMIZU, Hirosato, OKUNO, Masaki
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 10.10.2019
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Summary:Provided is a semiconductor device characterized by comprising: a substrate including a circuit region and a peripheral region arranged so as to surround the circuit region in a plan view; a first wiring layer formed on the substrate; a second wiring layer formed on the first wiring layer; a third wiring layer formed on the second wiring layer; and a guard ring formed in the peripheral region, and characterized in that the guard ring includes: a first wiring that is formed in the first wiring layer to be arranged so as to surround the circuit region in a plan view; a second wiring that is formed in the third wiring layer to be arranged so as to surround the circuit region in a plan view; and a first via that is connected to the first wiring and the second wiring and arranged as a groove along the edges of the substrate in a plan view. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat comprenant une région de circuit et une région périphérique agencée de façon à entourer la région de circuit dans une vue en plan ; une première couche de câblage formée sur le substrat ; une deuxième couche de câblage formée sur la première couche de câblage ; une troisième couche de câblage formée sur la deuxième couche de câblage ; et un anneau de protection formé dans la région périphérique, et caractérisé en ce que l'anneau de protection comprend : un premier câblage qui est formé dans la première couche de câblage pour être agencé de façon à entourer la région de circuit dans une vue en plan ; un second câblage qui est formé dans la troisième couche de câblage pour être agencé de façon à entourer la région de circuit dans une vue en plan ; et un premier trou d'interconnexion qui est connecté au premier câblage et au second câblage et qui est agencé sous la forme d'une rainure le long des bords du substrat dans une vue en plan. 半導体装置は、回路領域と、平面視で回路領域を囲んで配置される周辺領域と、を有する基板と、基板上に形成された第1配線層と、第1配線層上に形成された第2配線層と、第2配線層上に形成された第3配線層と、周辺領域に形成されたガードリングと、を有し、ガードリングは、第1配線層に形成され、平面視で回路領域を囲んで配置される第1配線と、第3配線層に形成され、平面視で回路領域を囲んで配置される第2配線と、第1配線および第2配線に接続し、平面視で基板の端に沿って溝状に配置される第1ビアと、を有することを特徴とする。
Bibliography:Application Number: WO2019JP08591