ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
An adhesive for a semiconductor, said adhesive being to be used for at least partly sealing connection parts of a semiconductor device wherein electrodes in respective connection parts of a semiconductor chip and a wiring circuit board are electrically connected to each other or a semiconductor devi...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
06.09.2019
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Summary: | An adhesive for a semiconductor, said adhesive being to be used for at least partly sealing connection parts of a semiconductor device wherein electrodes in respective connection parts of a semiconductor chip and a wiring circuit board are electrically connected to each other or a semiconductor device wherein electrodes in respective connection parts of a plurality of semiconductor chips are electrically connected to each other. This adhesive for a semiconductor has a thixotropy value of 1.0-3.1 inclusive, wherein the thixotropy value means a value calculated by measuring the viscosity of a sample, said sample being prepared by laminating the adhesive for a semiconductor to a depth of 400 μm, with a shear viscometer under constant conditions at a temperature of 120°C while continuously changing frequency from 1 Hz to 70 Hz, and then dividing the viscosity at 7 Hz by the viscosity at 70 Hz.
L'invention concerne un adhésif pour un semi-conducteur, ledit adhésif étant destiné à être utilisé pour sceller au moins partiellement des parties de connexion d'un dispositif à semi-conducteur dans lequel des électrodes situées dans des parties de connexion respectives d'une puce semi-conductrice et d'une carte de circuit de câblage sont électriquement connectées les unes aux autres ou d'un dispositif à semi-conducteur dans lequel des électrodes situées dans des parties de connexion respectives d'une pluralité de puces semi-conductrices sont électriquement connectées les unes aux autres. Le présent adhésif pour semi-conducteur a une valeur de thixotropie de 1,0 à 3,1 inclus, la valeur de thixotropie signifiant une valeur calculée par une mesure de la viscosité d'un échantillon, ledit échantillon étant préparé par stratification de l'adhésif pour un semi-conducteur à une profondeur de 400 µm, au moyen d'un viscosimètre à cisaillement dans des conditions constantes à une température de 120 °C tout en faisant varier en continu la fréquence de 1 Hz à 70 Hz, puis par une division de la viscosité à 7 Hz par la viscosité à 70 Hz.
半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部の電極同士が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部の電極同士が互いに電気的に接続された半導体装置において、接続部の少なくとも一部の封止に用いられる半導体用接着剤であって、半導体用接着剤のチキソトロピー値が、1.0以上、3.1以下であり、チキソトロピー値は、半導体用接着剤を厚さ400μmまで積層したサンプルについて、ずり粘度測定装置で温度120℃の一定条件にて周波数を1Hzから70Hzまで連続的に変化させた際の粘度を測定し、7Hz時の粘度値を70Hz時の粘度値で割った値である、半導体用接着剤。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2019JP01342 |