THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING THROUGH-MEMORY-LEVEL CONTACT VIA STRUCTURES AND METHOD OF MAKING THE SAME

• Main Authors: SUGIURA, Kenji, CUI, Zhixin, KUBO, Tomohiro, MUSHIGA, Mitsuteru, INOUE, Shigehisa, FUKUDA, Yuki, OTOI, Hisakazu, SAKAKIBARA, Kiyohiko
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.08.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A contact via structure vertically extending through an alternating stack of insulating layers and electrically conductive layers is provided in a staircase region having stepped surfaces. The contact via structure is electrically isolated from each electrically conductive layer of the alternating stack except for an electrically conductive layer that directly underlies a horizontal interface of the stepped surfaces. A laterally-protruding portion of the contact via structure contacts an annular top surface of the electrically conductive layer. The electrical isolation can be provided by a ribbed insulating spacer that includes laterally-protruding annular rib regions at levels of the insulating layers, or can be provided by annular insulating spacers located at levels of the electrically conductive layers. The contact via structure can contact a top surface of an underlying metal interconnect structure that overlies a substrate to provide an electrically conductive path. La présente invention concerne une structure de trou d'interconnexion de contact s'étendant verticalement à travers un empilement alterné de couches isolantes et de couches électroconductrices étant disposée dans une région d'escalier ayant des surfaces étagées. La structure de trou d'interconnexion de contact est électriquement isolée de chaque couche électroconductrice de l'empilement alterné, à l'exception d'une couche électriquement conductrice qui est directement sous-jacente à une interface horizontale des surfaces étagées. Une partie faisant saillie latéralement de la structure de trou d'interconnexion de contact entre en contact avec une surface supérieure annulaire de la couche électroconductrice. L'isolation électrique peut être assurée par une entretoise isolante nervurée qui comprend des régions de nervure annulaires faisant saillie latéralement à des niveaux des couches isolantes, ou peut être fournie par des entretoises isolantes annulaires situées à des niveaux des couches électroconductrices. La structure de trou d'interconnexion de contact peut entrer en contact avec une surface supérieure d'une structure d'interconnexion métallique sous-jacente qui recouvre un substrat pour fournir un trajet électroconducteur.