SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND LIGHT-EMITTING DEVICE

• Main Authors: WAJIMA, Kazutaka, OYAMATSU, Daisuke, KUWABATA, Susumu, UEMATSU, Taro, TORIMOTO, Tsukasa, KAMEYAMA, Tatsuya
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.08.2019
• Subjects: ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INORGANIC CHEMISTRY; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NANOTECHNOLOGY; NATURAL RESINS; PAINTS; PERFORMING OPERATIONS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TRANSPORTING

Provided is a method for producing semiconductor nanoparticles that exhibit band-edge emission and have a superior quantum yield. This method for producing semiconductor nanoparticles comprises: raising the temperature of a first mixture containing a salt of Ag, a salt containing In and/or Ga, a solid compound that serves as a source for supplying S, and an organic solvent, to a temperature in the range of 125-175°C; following the raising of the temperature, subjecting the mixture to a thermal treatment at a temperature in the range of 125-175°C for 3 seconds or longer, to obtain a solution containing semiconductor nanoparticles; and, following the thermal treatment, lowering the temperature of the solution containing the semiconductor nanoparticles, wherein the solid compound serving as a source for supplying S contains thiourea. L'invention concerne une méthode de production de nanoparticules semi-conductrices qui présentent une émission de bord de bande et ont un rendement quantique supérieur. Cette méthode de production de nanoparticules semi-conductrices consiste à : élever la température d'un premier mélange contenant un sel d'Ag, un sel contenant In et/ou Ga, un composé solide qui sert de source d'alimentation en S, et un solvant organique, à une température dans la plage allant de 125 à 175°C ; suite à l'élévation de la température, soumettre le mélange à un traitement thermique à une température dans la plage allant de 125 à 175°C pendant 3 secondes ou plus, pour obtenir une solution contenant des nanoparticules semi-conductrices ; et, suite au traitement thermique, abaisser la température de la solution contenant les nanoparticules semi-conductrices, le composé solide servant de source d'alimentation en S contenant de la thiourée. バンド端発光を示し、量子収率に優れる半導体ナノ粒子の製造方法が提供される。半導体ナノ粒子の製造方法は、Ａｇの塩と、ＩｎおよびＧａの少なくとも一方を含む塩と、Ｓの供給源となる固体状化合物と、有機溶剤とを含む第一混合物を、１２５℃以上１７５℃以下の範囲にある温度まで昇温することと、前記昇温に続いて、１２５℃以上１７５℃以下の範囲にある温度にて、前記混合物を３秒以上熱処理することで、半導体ナノ粒子を含む溶液を得ることと、前記熱処理に続いて、前記半導体ナノ粒子を含む溶液を降温することと、を含み、Ｓの供給源となる固体状化合物は、チオ尿素を含む。