SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND FILM-SHAPED ADHESIVE

• Main Authors: HASHIMOTO Shintaro, KIKUCHI Kenta, YAMAZAKI Tomoharu, MASUNO Daisuke, NAKAMURA Yuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 08.08.2019
• Subjects: ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; PAINTS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES

The present invention pertains to a semiconductor device production method which is provided with: a first die bonding step for electrically connecting a first semiconductor element onto a substrate via a first wire; a lamination step for sticking a film-shaped adhesive, the shear modulus of which is 1.5MPa or less at 150°C, onto one surface of a second semiconductor element which has a larger surface area than does the first semiconductor element; and a second die bonding step for positioning the second semiconductor element to which the film-shaped adhesive has been stuck in a manner such that the film-shaped adhesive covers the first semiconductor element, and embedding the first wire and the first semiconductor element in the film-shaped adhesive by pressure-bonding the film-shaped adhesive. La présente invention concerne un procédé de production de dispositif à semi-conducteur qui comprend : une première étape de liaison de puce pour connecter électriquement un premier élément semi-conducteur sur un substrat par l'intermédiaire d'un premier fil ; une étape de stratification pour coller un adhésif en forme de film, dont le module de cisaillement est inférieur ou égal à 1,5 MPa à 150 °C, sur une surface d'un second élément semi-conducteur qui a une surface plus grande que le premier élément semi-conducteur ; et une seconde étape de liaison de puce pour positionner le second élément semi-conducteur auquel l'adhésif en forme de film a été collé de telle sorte que l'adhésif en forme de film recouvre le premier élément semi-conducteur, et à incorporer le premier fil et le premier élément semi-conducteur dans l'adhésif en forme de film par liaison par pression de l'adhésif en forme de film. 本発明は、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子を電気的に接続する第１のダイボンド工程と、第１の半導体素子の面積よりも大きい第２の半導体素子の片面に、１５０℃におけるずり弾性率が１．５ＭＰａ以下であるフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、フィルム状接着剤が第１の半導体素子を覆うように載置し、フィルム状接着剤を圧着することで、第１のワイヤ及び第１の半導体素子をフィルム状接着剤に埋め込む第２のダイボンド工程と、を備える、半導体装置の製造方法に関する。