METHOD FOR SEPARATING SEMICONDUCTOR COMPONENTS, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT

• Main Authors: LÖFFLER, Andreas, NÄHLE, Lars, SOMERS, André, BRÜCKNER, John, HEINE, Urs, GERHARD, Sven
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 18.07.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauteilen (20)angegeben, mit den Schrittendes Bereitstellens eines Trägers (21), des Aufbringens von mindestens zwei Halbleiterchips (22) auf den Träger (21), des Ätzens mindestens eines Bruchkeims (23) an einer den Halbleiterchips (22) zugewandten Seite des Trägers (21), und des Vereinzelns von mindestens zwei Halbleiterbauteilen (20) durch Brechen des Trägers (21) entlang des mindestens einen Bruchkeims (23). Dabei erstreckt sich der mindestens eine Bruchkeim (23) zumindest stellenweise in einer vertikalen Richtung (z), wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Trägers (21) ist, und der mindestens eine Bruchkeim (23) ist in einer lateralen Richtung (x) zwischen den zwei Halbleiterchips (22) angeordnet, wobei die laterale Richtung (x) parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (21) ist. Weiter weist jedes der Halbleiterbauteile (20) mindestens einen der Halbleiterchips (22) auf, und die Ausdehnung des mindestens einen Bruchkeims (23) in vertikaler Richtung (z) beträgt mindestens 1 % der Ausdehnung des Trägers (21) in vertikaler Richtung (z). Außerdem wird ein Halbleiterbauteil (20) angegeben. The invention relates to a method for separating semiconductor components (20), comprising the steps of providing a substrate (21), applying at least two semiconductor chips (22) to the substrate (21), etching at least one fracture nucleus (23) on a side of the substrate (21) facing the semiconductor chips (22), and separating at least two semiconductor components (20) by fracturing the substrate (21) along the at least one fracture nucleus (23). The at least one fracture nucleus (23) extends in a vertical direction (z) at least in some places, the vertical direction (z) being perpendicular to a main extension plane of the substrate (21), and the at least one fracture nucleus (23) is arranged in a lateral direction (x) between the two semiconductor chips (22), the lateral direction (x) being parallel to the main extension plane of the substrate (21). Furthermore, each of the semiconductor components (20) has at least one of the semiconductor chips (22), and the extent of the at least one fracture nucleus (23) in the vertical direction (z) is at least 1% of the extent of the substrate (21) in the vertical direction (z). The invention further relates to a semiconductor component (20). La présente invention concerne un procédé de séparation de composants semi-conducteurs (20). Ledit procédé comprend les étapes consistant à préparer un support (21), déposer au moins deux puces semi-conductrices (22) sur le support (21), graver chimiquement au moins un germe de rupture (23) sur une face du support (21) tournée vers les puces semi-conductrices (22), et séparer au moins deux composants semi-conducteurs (20) en brisant le support (21) le long du ou des germes de rupture (23). Ce faisant, le ou les germes de rupture (23) s'étendent au moins par endroits selon une direction verticale (z), la direction verticale (z) étant perpendiculaire à un plan d'étendue principal du support (21), et le ou les germes de rupture (23) sont disposés dans une direction latérale (x) entre les deux puces semi-conductrices (22), la direction latérale (x) étant parallèle au plan d'étendue principal du support (21). Par ailleurs, chaque composant semi-conducteur (20) comprend au moins une des puces semi-conductrices (22) et l'extension du ou des germes de rupture (23) dans la direction verticale (z) est d'au moins 1 % de l'extension du support (21) dans la direction verticale (z). La présente invention concerne un composant semi-conducteur (20).