RELEASE FILM

• Main Authors: MANABE, Isao, SHOJI, Hideo, TANAKA, Teruya
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.07.2019
• Subjects: AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F,C08G; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; COMPOSITIONS BASED THEREON; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; LAYERED PRODUCTS; LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT ORNON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDEDFOR; SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; TRANSPORTING; WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE, IN GENERAL; WORKING-UP

[Problem] The present invention addresses the problem of providing a release film that has excellent mold conforming ability and heat resistance, is capable of suppressing formation of wrinkles during heating, is less liable to have variation in release properties even after having undergone major deformation, and enables suitable application to a manufacturing step, in particular, for a step for encapsulating a semiconductor. [Solution] This release film is to be used in a manufacturing step and satisfies formulas (I) and (II) when S1 (%) represents the maximum dimensional change rate between 30°C and 150°C as measured by TMA when the temperature is raised from 30°C to 200°C at a rate of 10°C/min, T1 (°C) represents the temperature at which S1 is obtained, and S0 (%) represents the dimensional change rate at 40°C. In at least one of the surfaces of the film, the surface free energy Sa (mN/mm) at 25°C, the surface free energy Sb (mN/mm) after having been subjected to a heat treatment at 180°C for 3 minutes, and the surface free energy Sc (mN/mm) after having been stretched by 50% at 180°C satisfy formulas (III) and (IV). Formula (I): 0≤S1≤1.5 Formula (II): 0≤|S1-S0|/(T1-40)≤0.050 Formula (III): 0≤|Sa-Sb|≤15 Formula (IV): 0≤|Sa-Sc|≤15 Le problème décrit par la présente invention est de fournir un film de démoulage qui a une excellente aptitude à épouser la forme d'un moule et une excellente résistance à la chaleur, est capable de supprimer la formation de plis pendant le chauffage, est moins susceptible d'avoir une variation des propriétés de démoulage même après avoir subi une déformation majeure, et permet une application appropriée à une étape de fabrication, en particulier, pour une étape d'encapsulation d'un semi-conducteur. La solution selon l'invention porte sur un film de démoulage qui doit être utilisé dans une étape de fabrication et satisfait les formules (I) et (II) lorsque S1 (%) représente le taux de changement dimensionnel maximal entre 30°C et 150°C tel que mesuré par TMA lorsque la température est augmentée de 30°C à 200°C à une vitesse de 10°C/min, T1 (°C) représente la température à laquelle S1 est obtenu, et S0 (%) représente le taux de changement dimensionnel à 40°C. Dans au moins l'une des surfaces du film, la tension de surface Sa (mN/mm) à 25°C, la tension de surface Sb (mN/mm) après avoir été soumis à un traitement thermique à 180°C pendant 3 minutes, et la tension de surface Sc (mN/mm) après avoir été étiré de 50 % à 180°C satisfont les formules (III) et (IV). Formule (I) : 0 ≤ S1 ≤ 1,5 Formule (II) : 0 ≤ |S1 - S0| / (T1 - 40) ≤ 0,050 Formule (III) : 0 ≤ |Sa - Sb| ≤ 15 Formule (IV) : 0 ≤ |Sa - Sc| ≤ 15 【課題】本発明の課題は、金型追従性、耐熱性に優れ、かつ加熱時に生じるシワを抑制し、大変形後も離型性が変化しにくい特性を有することにより、工程用途、特に半導体封止工程用途へ好適に使用することのできる離型フィルムを提供することにある。 【解決手段】ＴＭＡにて測定した、３０℃から２００℃まで１０℃／分で昇温した際の３０℃から１５０℃における最大寸法変化率をＳ１（％）、Ｓ１を与える温度をＴ１（℃）、４０℃における寸法変化率をＳ０（％）としたとき下記（I）（II）式を満たし、２５℃における表面自由エネルギーＳａ（ｍＮ／ｍｍ）と１８０℃で３分間熱処理を行った後の表面自由エネルギーＳｂ（ｍＮ／ｍｍ）と１８０℃で５０％伸長後の表面自由エネルギーＳｃ（ｍＮ／ｍｍ）がフィルムの少なくとも片面において下記（III）（IV）式を満たす、工程用離型フィルム。 ０≦Ｓ１≦１．５・・・（I） ０≦｜Ｓ１-Ｓ０｜／（Ｔ１-４０）≦０．０５０・・・（II） ０≦｜Ｓａ－Ｓｂ｜≦１５・・・（III） ０≦｜Ｓａ－Ｓｃ｜≦１５・・・（IV）