ACOUSTIC WAVE DEVICE, HIGH FREQUENCY FRONT END CIRCUIT AND COMMUNICATION DEVICE

• Main Authors: SAWAMURA, Makoto, KAI, Seiji, KISHI, Yuzo, KISHIMOTO, Yutaka
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.06.2019
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS

Provided is an acoustic wave device wherein a piezoelectric layer is not susceptible to breakage and the filter characteristics are not susceptible to deterioration. An acoustic wave device 1 according to the present invention is provided with: a silicon supporting substrate 2 which has first and second main surfaces 2a, 2b that are on the opposite side of each other; a piezoelectric structure 12 which is provided on the first main surface 2a and has a piezoelectric layer 6; an IDT electrode 7 which is provided on the piezoelectric layer 6; a supporting layer 3 which is provided on the first main surface 2a of the silicon supporting substrate 2 so as to surround the piezoelectric layer 6; a cover layer 4 which is provided on the supporting layer 3; a through via electrode 11 which is provided so as to penetrate through the silicon supporting substrate 2 and the piezoelectric structure 12; and a first wiring electrode 8 which is connected to the through via electrode 11, while being electrically connected to the IDT electrode 7. The piezoelectric structure 12 comprises at least one insulating layer that includes the piezoelectric layer 6. The first wiring electrode 8 is formed on an insulating layer of the piezoelectric structure 12. L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques dans lequel une couche piézoélectrique n'est pas sensible à la rupture et dans lequel les caractéristiques de filtre ne sont pas susceptibles de se détériorer. Un dispositif à ondes acoustiques (1) selon la présente invention comprend : un substrat de support en silicium (2) qui présente des première et seconde surfaces principales (2a, 2b) qui sont à l'opposé l'une de l'autre; une structure piézoélectrique (12) qui est disposée sur la première surface principale (2a) et qui comporte une couche piézoélectrique (6); une électrode IDT (transducteur inter-digité) (7) qui est disposée sur la couche piézoélectrique (6); une couche de support (3) qui est disposée sur la première surface principale (2a) du substrat de support en silicium (2) de façon à entourer la couche piézoélectrique (6); une couche de couverture (4) qui est disposée sur la couche de support (3); une électrode de trou traversant (11) qui est disposée de façon à pénétrer dans le substrat de support en silicium (2) et la structure piézoélectrique (12); et une première électrode de câblage (8) qui est connectée à l'électrode de trou traversant (11), tout en étant électriquement connectée à l'électrode IDT (7). La structure piézoélectrique (12) comprend au moins une couche isolante qui comprend la couche piézoélectrique (6). La première électrode de câblage (8) est formée sur une couche isolante de la structure piézoélectrique (12). 圧電体層が破損し難く、かつフィルタ特性が劣化し難い、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有するシリコン支持基板２と、第１の主面２ａ上に設けられており、圧電体層６を有する圧電性構造体１２と、圧電体層６上に設けられているＩＤＴ電極７と、シリコン支持基板２の第１の主面２ａ上に、圧電体層６を囲むように設けられている支持層３と、支持層３上に設けられているカバー層４と、シリコン支持基板２及び圧電性構造体１２を貫通するように設けられている貫通ビア電極１１と、貫通ビア電極１１に接続されており、かつＩＤＴ電極７に電気的に接続されている第１の配線電極８とを備える。圧電性構造体１２は、圧電体層６を含む少なくとも１層の絶縁性を有する層を有する。第１の配線電極８は、圧電性構造体１２における絶縁性を有する層上に設けられている。