VARIABLE WAVELENGTH LASER DEVICE

• Main Authors: TAKABAYASHI, Masakazu, GOTODA, Mitsunobu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.06.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

This invention includes: a laser array in which a plurality of single mode lasers are arranged in parallel; a first semiconductor chip including a first optical coupler connected to one end of the laser array and a second optical coupler connected to the other end of the laser array, a first output light being emitted from the first optical coupler and a second output light being emitted from the second optical coupler; a second semiconductor chip having an optical circuit optically coupled to the first semiconductor chip, the second semiconductor chip returning at least some of the second output light entering the optical circuit from the first semiconductor chip to the first semiconductor chip; and a second optical amplifier connected to the second optical coupler. A single mode laser is selected from the laser array, the operation temperature of the single mode laser is controlled, the wavelength of the first output light and the second output light are changed, at least some of the second output light is reflected into the second semiconductor chip, and at least some of the second output light returned to the first semiconductor chip from the second semiconductor chip has the intensity thereof adjusted in the second optical amplifier and is returned to the selected single mode laser. La présente invention comprend : un réseau laser dans lequel une pluralité de lasers monomodes sont disposés en parallèle ; une première puce semi-conductrice comprenant un premier coupleur optique connecté à une extrémité du réseau laser et un second coupleur optique connecté à l'autre extrémité du réseau laser, une première lumière de sortie étant émise par le premier coupleur optique et une seconde lumière de sortie étant émise par le second coupleur optique ; une seconde puce semi-conductrice ayant un circuit optique couplé optiquement à la première puce semi-conductrice, la seconde puce semi-conductrice renvoyant au moins une partie de la seconde lumière de sortie entrant dans le circuit optique de la première puce semi-conductrice à la première puce semi-conductrice ; et un second amplificateur optique connecté au second coupleur optique. Un laser monomode est sélectionné à partir du réseau laser, la température de fonctionnement du laser monomode est commandée, la longueur d'onde de la première lumière de sortie et de la seconde lumière de sortie sont modifiées, au moins une partie de la seconde lumière de sortie étant réfléchie dans la seconde puce semi-conductrice, et au moins une partie de la seconde lumière de sortie renvoyée à la première puce semi-conductrice à partir de la seconde puce semi-conductrice a l'intensité de celle-ci ajustée dans le second amplificateur optique et est renvoyée au laser monomode sélectionné. 複数の単一モードレーザが並列に配置されたレーザアレイと、レーザアレイの一端に接続された第１光結合器およびレーザアレイの他端に接続された第２光結合器とを含み、第１光結合器から第１出力光が出射し、第２光結合器から第２出力光が出射する第１半導体チップと、第１半導体チップと光結合された光回路を有し、第１半導体チップから光回路に入射した第２出力光の少なくとも一部を第１半導体チップに戻す、第２半導体チップと、第２光結合器に接続された第２光増幅器と、を含み、レーザアレイから単一モードレーザを選択し、単一モードレーザの動作温度を制御して、第１出力光および第２出力光の波長を変え、第２出力光の少なくとも一部を第２半導体チップ内に反射させ、第２半導体チップから第１半導体チップに戻された第２出力光の少なくとも一部は、第２光増幅器で強度が調整され、選択された単一モードレーザに戻される。