SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: BONG, Ha Jong, LIM, Jae Gu
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 06.06.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed in an embodiment is a semiconductor device comprising a semiconductor structure, which comprises a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, wherein: the first conductive semiconductor layer comprises a first super lattice layer comprising a plurality of first sub layers and a plurality of second sub layers, the first and second sub layers being alternately arranged; the semiconductor structure emits ions of indium, aluminum, and a first and second dopant during a primary ion irradiation; the intensity of indium ions emitted from the active layer includes a maximum indium intensity peak; the doping concentration of the first dopant emitted from the first conductive semiconductor layer includes a maximum concentration peak; the maximum indium intensity peak is disposed to be spaced from the maximum concentration peak in a first direction; the intensity of indium ions emitted from the plurality of first sub layers has a plurality of first indium intensity peaks; the doping concentration of the first dopant emitted from the plurality of first sub layers has a plurality of first concentration peaks; and the plurality of first indium intensity peaks and the plurality of first concentration peaks are disposed between the maximum indium intensity peak and the maximum concentration peak. Dans un mode de réalisation, la présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une structure semi-conductrice, qui comprend une première couche conductrice à semi-conducteurs, une seconde couche conductrice à semi-conducteurs, et une couche active disposée entre la première couche conductrice à semi-conducteurs et la seconde couche conductrice à semi-conducteurs, la première couche conductrice à semi-conducteurs comprenant une première couche super-réseau comprenant une pluralité de premières sous-couches et une pluralité de secondes sous-couches, les première et seconde sous-couches étant agencées en alternance ; la structure semi-conductrice émet des ions indium, aluminium et des premier et second dopants pendant une irradiation d'ions primaires ; l'intensité des ions indium émis à partir de la couche active comprend un pic d'intensité d'indium maximum ; la concentration de dopage du premier dopant émis par la première couche conductrice à semi-conducteurs comprend un pic de concentration maximum ; le pic d'intensité d'indium maximum est disposé de manière à être espacé du pic de concentration maximum dans une première direction ; l'intensité des ions indium émis à partir de la pluralité de premières sous-couches a une pluralité de premiers pics d'intensité d'indium ; la concentration de dopage du premier dopant émis par la pluralité de premières sous-couches a une pluralité de premiers pics de concentration ; et la pluralité de premiers pics d'intensité d'indium et la pluralité de premiers pics de concentration sont disposés entre le pic d'intensité d'indium maximum et le pic de concentration maximum. 실시 예는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층은 교대로 배치되는 복수 개의 제1 서브층과 복수 개의 제2 서브층을 포함하는 제1 초격자층을 포함하고, 상기 반도체 구조물은 1차 이온 조사시 인듐, 알루미늄, 제1 도펀트 및 제2 도펀트의 이온을 방출하고, 상기 활성층에서 방출된 인듐의 이온강도는 최대 인듐 강도 피크를 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층에서 방출된 제1 도펀트의 도핑 농도는 최대 농도 피크를 포함하고, 상기 최대 인듐 강도 피크는 상기 최대 농도 피크에서 제1 방향으로 이격 배치되고, 상기 복수 개의 제1 서브층에서 방출된 인듐의 이온강도는 복수 개의 제1 인듐 강도 피크를 갖고, 상기 복수 개의 제1 서브층에서 방출된 제1 도펀트의 도핑농도는 복수 개의 제1 농도 피크를 갖고, 상기 복수 개의 제1 인듐 강도 피크와 상기 복수 개의 제1 농도 피크는 상기 최대 인듐 강도 피크와 상기 최대 농도 피크 사이에 배치되는 반도체 소자를 개시한다.