SEMICONDUCTOR COMPOUND, SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING SEMICONDUCTOR COMPOUND LAYER, LAYERED BODY, AND TARGET

• Main Authors: BANG, Joonho, ISHIBASHI, Nao, OHKOSHI, Kazuto, MASUMO, Kunio, HOSONO, Hideo, WATANABE, Satoru, KIM, Junghwan, KUMOMI, Hideya, NAKAMURA, Nobuhiro, MIYAKAWA, Naomichi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.06.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This semiconductor compound is oxide-based and includes metal cations and oxygen, wherein hydrogen anions H- bonded to the metal cations are substituted by fluoride ions F-, and the semiconductor compound also includes fluoride ions F- bonded to 1 to 3 metal cations. L'invention concerne un composé semi-conducteur à base d'oxyde et comprenant des cations métalliques et de l'oxygène, les anions hydrogène H- liés aux cations métalliques étant remplacés par des ions fluorure F-, et le composé semi-conducteur comprenant également des ions fluorure F- liés à 1 à 3 cations métalliques. 金属カチオンおよび酸素を含む酸化物系の半導体化合物であって、前記金属カチオンと結合していた水素負イオンＨ－がフッ素イオンＦ－で置換されており、１個～３個の金属カチオンと結合しているフッ素イオンＦ－を有する、酸化物系の半導体化合物。