TREATMENT DEVICE

• Main Authors: ISHIZAKA, Tadahiro, FUJISATO, Toshiaki, MOCHIZUKI, Takashi, TORIYA, Daisuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.06.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

[Problem] To perform highly uniform treatment within the surface of a substrate by attracting and holding the substrate with high reliability when the substrate is treated in an atmosphere where no plasma is formed. [Solution] The present invention configures a device so as to be provided with: a DC power supply 35 the positive electrode side of which is connected to one of an electrode 32 of an electrostatic chuck 3 and a conductive member 4 and the negative electrode side of which is connected to the other, that applies a voltage across the electrode 32 and the conductive member 4 located at a treatment position in contact with a substrate W in a state where no plasma is formed in a treatment container 11, and that causes an electrostatically attracting force generated thereby to attract and hold the substrate W on a dielectric layer 31 of the electrostatic chuck 3; and a treatment-gas supply part 28 that supplies a treatment gas to the substrate W to treat the substrate W in a state where the substrate W is attracted to and held on the dielectric layer 31. Le problème décrit par la présente invention est d'effectuer un traitement extrêmement uniforme dans la surface d'un substrat en attirant et en maintenant le substrat avec une fiabilité élevée lorsque le substrat est traité dans une atmosphère sans formation de plasma. La solution selon la présente invention consiste à configurer un dispositif de sorte que celui-ci comprend: une alimentation en courant continu (CC) (35) dont le côté électrode positive est connecté à une électrode (32) d'un mandrin électrostatique (3) et d'un élément conducteur (4) et dont le côté électrode négative est connecté à l'autre électrode, ce qui applique une tension dans l'électrode (32) et l'élément conducteur (4) situé à une position de traitement en contact avec un substrat W dans un état où aucun plasma n'est formé dans un contenant de traitement (11), et qui provoque une force d'attraction électrostatique générée pour attirer et maintenir le substrat W sur une couche diélectrique (31) du mandrin électrostatique (3); et une partie d'alimentation en gaz de traitement (28) qui fournit un gaz de traitement au substrat W afin de traiter le substrat W dans un état dans lequel le substrat W est attiré et maintenu sur la couche diélectrique (31). 【課題】プラズマが形成されない雰囲気で基板に処理を行うにあたり、当該基板を確実性高く吸着し、基板の面内において均一性高い処理を行うこと 【解決手段】 静電チャック３の電極３２及び導電部材４のうちの一方に正極側が、他方に負極側が各々接続され、処理容器１１内にプラズマが形成されていない状態で基板Ｗに接する処理位置に位置する導電部材４と電極３２との間に電圧を印加し、それによって生じる静電吸着力により基板Ｗを静電チャック３の誘電体層３１に吸着させるための直流電源３５と、誘電体層３１に基板Ｗが吸着された状態で、当該基板Ｗに処理ガスを供給して処理する処理ガス供給部２８と、を備えるように装置を構成する。