ATOMIC LAYER DEPOSITION AND ETCH IN A SINGLE PLASMA CHAMBER FOR CRITICAL DIMENSION CONTROL

• Main Authors: ZHANG, Duming, XU, Chen, ZHOU, Xiang, KIMURA, Yoshie, UPADHYAYA, Ganesh, BROOKS, Mitchell
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 31.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Methods and apparatuses for critical dimension (CD) control of substrate features using integrated atomic layer deposition (ALD) and etch processes are described herein. Methods include etching to form a mask pattern of features on a substrate having a width that is less than a desired width of structures to be subsequently formed by the mask pattern of features, conformally depositing a passivation layer by ALD that increases the width of the mask pattern of features to the desired width, and etching a layer of the substrate to a desired depth to form the plurality of structures having the desired width. Cette invention concerne des procédés et des appareils de contrôle de dimension critique (DC) de caractéristiques de substrat par des procédés intégrés de dépôt et de gravure de couches atomiques (ALD). Les procédés comprennent la gravure pour former un motif de masque de caractéristiques sur un substrat ayant une largeur qui est inférieure à une largeur souhaitée de structures à former par la suite par le motif de masque de caractéristiques, le dépôt conforme d'une couche de passivation par dépôt de couches atomiques qui augmente la largeur du motif de masque de caractéristiques à la largeur souhaitée, et la gravure d'une couche du substrat à une profondeur souhaitée pour former la pluralité de structures ayant la largeur souhaitée.