SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: HARADA Yuichi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device that is equipped with: a semiconductor substrate having a transistor region; an emitter electrode that is provided on the semiconductor substrate; a first dummy trench section, which is provided in the transistor region of the semiconductor substrate, and which has a dummy conductive section electrically connected to the emitter electrode; and a first contact section, which is a partial region of the transistor region, and which is provided in a partial region between an end portion of a long-side section of the first dummy trench section, and an end portion of the semiconductor substrate, and in which a first conductivity-type semiconductor region provided in the transistor region, and the emitter electrode are electrically connected to each other. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est équipé : d'un substrat semi-conducteur ayant une région de transistor ; d'une électrode d'émetteur qui est disposée sur le substrat semi-conducteur ; d'une première section de tranchée factice, qui est disposée dans la région de transistor du substrat semi-conducteur, et qui a une section conductrice factice connectée électriquement à l'électrode d'émetteur ; et d'une première section de contact, qui est une région partielle de la région de transistor, et qui est disposée dans une région partielle entre une partie d'extrémité d'une section côté long de la première section de tranchée factice, et une partie d'extrémité du substrat semi-conducteur, et dans laquelle une région semi-conductrice de premier type de conductivité disposée dans la région de transistor et l'électrode d'émetteur sont électriquement connectées l'une à l'autre. トランジスタ領域を有する半導体基板と、半導体基板上に設けられたエミッタ電極と、半導体基板のトランジスタ領域に設けられ、エミッタ電極と電気的に接続するダミー導電部を有する第１のダミートレンチ部と、トランジスタ領域の一部の領域であって、第１のダミートレンチ部の長手部の端部と半導体基板の端部との間の一部の領域に設けられ、トランジスタ領域に設けられた第１導電型の半導体領域とエミッタ電極とが電気的に接続される第１のコンタクト部とを備える、半導体装置を提供する。