SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND IMAGING DEVICE

• Main Author: KIMIZUKA, Naohiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.05.2019
• Subjects: ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION

The purpose of the present invention is to reduce noise in a signal from a differential pair of transistors disposed in a solid-state image sensor. The semiconductor integrated circuit is equipped with a pixel circuit and one pair of tunnel field-effect transistors (TFET). The pixel circuit of this semiconductor integrated circuit generates a pixel signal through photoelectric conversion of incident light. In addition, said one pair of TFETs of the semiconductor integrated circuit amplifies the difference between the pixel signal generated by the pixel circuit and a predetermined reference signal which changes over time and outputs the amplified difference as a differential amplified signal. Le but de la présente invention est de réduire le bruit dans un signal provenant d'une paire différentielle de transistors disposés dans un capteur d'image à semi-conducteurs. Le circuit intégré à semi-conducteurs est équipé d'un circuit de pixel et d'une paire de transistors à effet de champ à effet tunnel (TFET). Le circuit de pixel de ce circuit intégré à semi-conducteurs génère un signal de pixel par conversion photoélectrique de lumière incidente. De plus, ladite paire de TFET du circuit intégré à semi-conducteurs amplifie la différence entre le signal de pixel généré par le circuit de pixel et un signal de référence prédéterminé qui change au fil du temps et délivre en sortie la différence amplifiée sous la forme d'un signal amplifié différentiel. 差動対のトランジスタを設けた固体撮像素子において、差動対からの信号の雑音を低減する。　半導体集積回路は、画素回路と、一対のＴＦＥＴ（Tunnel Field Effect Transistor）とを具備する。この半導体集積回路において、画素回路は、入射光を光電変換して画素信号を生成する。また、半導体集積回路において、一対のＴＦＥＴは、画素回路により生成された画素信号と時間の経過に伴って変化する所定の参照信号との差を増幅して差動増幅信号として出力する。