POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE USING SAME

• Main Authors: KUSUKAWA Junpei, CHIDA Tadahiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.04.2019
• Subjects: APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CONTROL OR REGULATION THEREOF; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERATION; SEMICONDUCTOR DEVICES

The objective of the invention is to prevent a drop in reliability due to detachment of an insulation layer from another member in a power semiconductor device. This power semiconductor device comprises a power semiconductor element, a conductor part transmitting a current to the power semiconductor element, an insulation layer in contact with the surface of the conductor part on the opposite side from the side on which the power semiconductor element is disposed, and a metallic heat dissipation part facing the conductor part, with the insulation layer therebetween. The insulation layer has an insulation section and a conductor layer that is sandwiched by the conductor part and the metallic heat dissipation part through the insulation part, and also has an output terminal connected to the conductor layer and outputting different signals according to the contact state of the insulation part. L'objectif de l'invention est d'empêcher une chute de fiabilité due au détachement d'une couche d'isolation d'un autre élément dans un dispositif semi-conducteur de puissance. Ce dispositif semi-conducteur de puissance comprend un élément semi-conducteur de puissance, une partie conductrice transmettant un courant à l'élément semi-conducteur de puissance, une couche d'isolation en contact avec la surface de la partie conductrice sur le côté opposé à partir du côté sur lequel l'élément semi-conducteur de puissance est disposé, et une partie de dissipation de chaleur métallique faisant face à la partie conductrice, la couche d'isolation étant entre celles-ci. La couche d'isolation a une section d'isolation et une couche conductrice qui est prise en sandwich par la partie conductrice et la partie de dissipation de chaleur métallique à travers la partie d'isolation, et a également une borne de sortie connectée à la couche conductrice et émettant différents signaux en fonction de l'état de contact de la partie d'isolation. パワー半導体装置の絶縁層と他の部材が剥離することによる信頼性低下を抑制することである。　本発明に係るパワー半導体装置は、パワー半導体素子と、当該パワー半導体素子に電流を伝達する導体部と、前記パワー半導体素子が配置された側とは反対側の前記導体部の面に接触する絶縁層と、前記絶縁層を挟んで前記導体部と対向する金属製放熱部と、を備え、前記絶縁層は、絶縁部と、当該絶縁部を介して前記導体部と前記金属製放熱部に挟まれる導体層とを有し、前記導体層に接続されかつ当該絶縁部の接触状態に応じて異なる信号を出力する出力端子を有する。