SEMICONDUCTOR LAMINATE, LIGHT-RECEIVING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LAMINATE

• Main Authors: ISHIZUKA Takashi, GO Takashi, DOI Tomohiro, FUYUKI Takuma
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.03.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor laminate, provided with a substrate comprising a group III-V compound semiconductor, and a quantum well structure disposed on the substrate. The quantum well structure includes: a second element layer comprising a group III-V compound semiconductor and containing Sb; and a first element layer disposed so as to be in contact with the second element layer, the first element layer comprising a group III-V compound semiconductor. In the first element layer, the thickness corresponding to the Sb content decreasing from 80% to 6% of the maximum value of the Sb content of the second element layer, in the direction moving away from the substrate, is 0.5 to 3.0 nm (inclusive). L'invention concerne un stratifié semi-conducteur, comprenant un substrat comprenant un semi-conducteur composite du groupe III-V, et une structure de puits quantique disposée sur le substrat. La structure de puits quantique comprend : une seconde couche d'élément comprenant un semi-conducteur composite du groupe III-V et contenant du Sb ; et une première couche d'élément disposée de manière à être en contact avec la seconde couche d'élément, la première couche d'élément comprenant un semi-conducteur composite du groupe III-V. Dans la première couche d'élément, l'épaisseur correspondant à la teneur en Sb diminuant de 80 % à 6 % de la valeur maximale de la teneur en Sb de la seconde couche d'élément, dans la direction s'éloignant du substrat, est de 0,5 à 3,0 nm (inclus). 半導体積層体は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなる基板と、基板上に配置される量子井戸構造と、を備える。量子井戸構造は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなり、Ｓｂを含有する第２要素層と、第２要素層上に接触して配置され、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなる第１要素層と、を含む。第１要素層の基板から離れる向きにおいて、Ｓｂの含有量が第２要素層におけるＳｂの含有量の最大値の８０％から前記最大値の６％にまで減少するまでの厚みが０．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である。