TUNGSTEN COMPOUND, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
The present invention provides a tungsten compound represented by general formula (1) (wherein X represents a halogen atom, R1-R5 each independently represent a hydrogen atom or a C1-C5 alkyl group, R6 represents a tert-butyl group or a tert-pentyl group, and R7 represents a C1-C5 alkyl group; howev...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
28.02.2019
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Summary: | The present invention provides a tungsten compound represented by general formula (1) (wherein X represents a halogen atom, R1-R5 each independently represent a hydrogen atom or a C1-C5 alkyl group, R6 represents a tert-butyl group or a tert-pentyl group, and R7 represents a C1-C5 alkyl group; however, R7 represents a C1-C3 or C5 alkyl group when R1-R5 are all hydrogen atoms and R6 is a tert-butyl group, and when R1-R5 are all methyl groups and R6 is a tert-butyl group.)
La présente invention concerne un composé de tungstène représenté par la formule générale (1) (dans laquelle X représente un atome d'halogène, R1-R5 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle en C1-C5, R6 représente un groupe tert-butyle ou un groupe tert-pentyle, et R7 représente un groupe alkyle en C1-C5 ; cependant, R7 représente un groupe alkyle en C1-C3 ou C5 lorsque R1-R5 représentent tous des atomes d'hydrogène et R6 représente un groupe tert-butyle, et lorsque R1-R5 représentent tous des groupes méthyle et R6 représente un groupe tert-butyle.)
本発明は、下記一般式(1)で表されるタングステン化合物を提供することにある: (式中、Xは、ハロゲン原子を表し、R1~R5は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数1~5のアルキル基を表し、R6は、第三ブチル基又は第三ペンチル基を表し、R7は、炭素数原子数1~5のアルキル基を表す。ただし、R1~R5が全て水素原子であり、R6が第三ブチル基である場合、及びR1~R5が全てメチル基であり、R6が第三ブチル基である場合は、R7は、炭素原子数1~3又は5のアルキル基を表す。) |
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Bibliography: | Application Number: WO2018JP25392 |