HIGH PRESSURE AND HIGH TEMPERATURE ANNEAL CHAMBER

• Main Authors: VERHAVERBEKE, Steven, DELMAS, Jean, LESCHKIES, Kurtis
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 21.02.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Embodiments of the disclosure relate to an apparatus and method for annealing semiconductor substrates. In one embodiment, a batch processing chamber is disclosed. The batch processing chamber includes a chamber body enclosing a processing region, a gas panel configured to provide a processing fluid into the processing region, a condenser fluidly connected to the processing region and a temperature-controlled fluid circuit configured to maintain the processing fluid at a temperature above a condensation point of the processing fluid. The processing region is configured to retain a plurality of substrates during processing. The condenser is configured to condense the processing fluid into a liquid phase. La présente invention concerne, selon des modes de réalisation, un appareil et un procédé permettant de réaliser un recuit de substrats semi-conducteurs. Dans un mode de réalisation, l'invention concerne une chambre de traitement par lots. La chambre de traitement par lots comprend un corps de chambre renfermant une région de traitement, un panneau de gaz conçu pour fournir un fluide de traitement dans la région de traitement, un condenseur en communication fluidique avec la région de traitement et un circuit de fluide à température régulée conçu pour maintenir le fluide de traitement à une température au-dessus d'un point de condensation du fluide de traitement. La région de traitement est conçue pour retenir une pluralité de substrats pendant le traitement. Le système condenseur est conçu pour condenser le fluide de traitement en une phase liquide.