DEPOSITION METHODOLOGY FOR SUPERCONDUCTOR INTERCONNECTS

• Main Authors: LUU, Vivien M, MCLAUGHLIN, Sean R, KIRBY, Christopher F, RENNIE, Michael
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 18.04.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of forming a superconductor interconnect structure is disclosed. The method includes forming a dielectric layer overlying a substrate, forming an interconnect opening in the dielectric layer, and moving the substrate to a deposition chamber. The method further includes depositing a superconducting metal in the interconnect opening, by performing a series of superconducting deposition and cooling processes to maintain a chamber temperature at or below a predetermined temperature until the superconducting metal has a desired thickness, to form a superconducting element in the superconductor interconnect structure. Procédé de formation d'une structure d'interconnexion supraconductrice. Le procédé consiste à former une couche diélectrique recouvrant un substrat, à former une ouverture d'interconnexion dans la couche diélectrique, et à déplacer le substrat vers une chambre de dépôt. Le procédé consiste en outre à déposer un métal supraconducteur dans l'ouverture d'interconnexion, par réalisation d'une série de processus de dépôt et de refroidissement supraconducteurs pour maintenir une température de chambre à une température prédéfinie ou sous celle-ci jusqu'à ce que le métal supraconducteur ait une épaisseur souhaitée, pour former un élément supraconducteur dans la structure d'interconnexion supraconductrice.