HIGH ASPECT RATIO SELECTIVE LATERAL ETCH USING CYCLIC PASSIVATION AND ETCHING

• Main Authors: KAWAGUCHI, Mark Naoshi, EASON, Kwame, CHANG, Hsiao-Wei, PARK, Pilyeon, PARK, Seung-Ho
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 07.02.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods and apparatus for laterally etching unwanted material from the sidewalls of a recessed feature are described herein. In various embodiments, the method involves etching a portion of the sidewalls, depositing a protective film over a portion of the sidewalls, and cycling the etching and deposition operations until the unwanted material is removed from the entire depth of the recessed feature. Each etching and deposition operation may target a particular depth along the sidewalls of the feature. In some cases, the unwanted material is removed from the bottom of the feature up, and in other cases the unwanted material is removed from the top of the feature down. Some combination of these may also be used. L'invention concerne des procédés et un appareil permettant de graver latéralement un matériau indésirable à partir des parois latérales d'un élément évidé. Dans divers modes de réalisation, le procédé comprend la gravure d'une partie des parois latérales, le dépôt d'un film protecteur sur une partie des parois latérales, et la répétition des opérations de gravure et de dépôt jusqu'à ce que le matériau indésirable soit retiré de toute la profondeur de l'élément évidé. Chaque opération de gravure et de dépôt peut cibler une profondeur particulière le long des parois latérales de l'élément. Dans certains cas, le matériau indésirable est retiré de l'élément du bas vers le haut et, dans d'autres cas, le matériau indésirable est retiré de l'élément du haut vers le bas. Certaines combinaisons de ces retraits peuvent également être utilisées.