CAPACITOR

• Main Authors: KAGAWA, Takeshi, IZUMITANI, Junko, MATSUBARA, Hiroshi, HARADA, Masatomi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.02.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a capacitor which has improved Q value in cases where a silicon nitride film is used as a dielectric film. A capacitor according to one embodiment of the present invention is provided with: a substrate; a lower electrode which is formed on the substrate; a dielectric film which is formed on the substrate or on the lower electrode; and an upper electrode which is formed on the dielectric film. The dielectric film is configured of two or more silicon nitride film layers that have different composition ratios of Si atoms to N atoms from each other; and the composition ratio of Si atoms to N atoms Si/N of the substrate-side or lower electrode-side silicon nitride film layer is higher than the Si/N composition ratio of the upper electrode-side silicon nitride film layer. La présente invention concerne un condensateur qui présente une meilleure valeur Q dans les cas où un film de nitrure de silicium est utilisé comme film diélectrique. Un condensateur selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat ; une électrode inférieure qui est formée sur le substrat ; un film diélectrique qui est formé sur le substrat ou sur l'électrode inférieure ; et une électrode supérieure qui est formée sur le film diélectrique. Le film diélectrique est constitué d'au moins deux couches de film de nitrure de silicium qui présentent des rapports de composition différents entre les atomes de silicium (Si) et les atomes d'azote (N) les uns des autres ; et le rapport de composition Si/N entre les atomes de silicium et les atomes d'azote de la couche de film de nitrure de silicium côté substrat ou côté électrode inférieure est supérieur au rapport de composition Si/N de la couche de film de nitrure de silicium côté électrode supérieure. 誘電体膜としてシリコン窒化膜を用いた場合において、Ｑ値を向上させたキャパシタを提供する。　本発明の一側面に係るキャパシタは、基板と、基板に形成された下部電極と、前記基板上又は下部電極上に形成された誘電体膜と、誘電体膜上に形成された上部電極と、を備え、誘電体膜はＳｉ原子とＮ原子の組成比の異なる２層以上のシリコン窒化膜で構成され、かつ、基板側又は下部電極側のシリコン窒化膜層のＳｉ原子とＮ原子の組成比率Ｓｉ／Ｎが上部電極側のシリコン窒化膜層のＳｉ／Ｎ組成比率よりも大きい。